[實用新型]一種除硼裝置

有效

• 申請號: 201520654452.1
• 申請日: 2015-08-27
• 公開（公告）號: CN204897419U
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發明（設計）人: 王增林
• 申請（專利權）人: 寧夏金海金晶光電產業有限公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

技術領域

本實用新型涉及多晶硅領域，尤其涉及一種除硼裝置。

背景技術

半導體和太陽能電池行業的發展，使得原料多晶硅的生產成為熱點行業，同時對多晶硅的純度要求也越來越高，如何有效地去除多晶硅中的雜質成為我國多晶硅行業的難題。含硼化合物種類繁多，成分復雜，與氯硅烷體系沸點十分接近，如何有效地去除含硼雜質成為多晶硅行業面臨的主要問題。并且現有的除硼裝置往往很難將硼雜質的含量降到符合要求的范圍，從而使得多晶硅的品質降低，影響發電效率。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供了一種除硼裝置，該除硼裝置能夠有效去除含硼雜質，提高金屬硅的純度。

本實用新型的技術方案是這樣實現的：

一種除硼裝置，包括吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔；

所述吸附塔、所述造渣劑塔和所述樹脂填料塔通過管道串聯連接；

所述樹脂填料塔內的樹脂填料為螯合樹脂。

優選地，所述吸附塔內的吸附物質為離子交換樹脂。

優選地，所述吸附塔包括第一吸附塔和第二吸附塔，所述第一吸附塔和所述第二吸附塔通過管道串聯連接。

優選地，所述造渣劑塔內的造渣劑為偏硅酸鈉。

優選地，所述螯合樹脂為Lsc樹脂。

本實用新型的有益效果為：

本實用新型中樹脂填料塔內的樹脂填料為螯合樹脂，螯合樹脂能夠與硼雜質通過配位鍵形成螯合物，從而將硼化合物從氯硅烷中去除。另外，本實用新型通過采用串聯連接的方式將吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔連接，提高了多晶硅的純度，使得多晶硅中硼雜質在0.3ppm以下。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型除硼裝置的結構示意圖。

圖中：

1、第一吸附塔；2、第二吸附塔；3、造渣劑塔；4、樹脂填料塔；5、管道。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

如圖1所示，本實用新型提供的除硼裝置，包括吸附塔、造渣劑塔3和樹脂填料塔4，所述吸附塔、所述造渣劑塔3和所述樹脂填料塔4通過管道5串聯連接。

吸附塔用于吸附氯硅烷中的硼雜質，具體實施時，吸附塔內填裝吸附樹脂，所述吸附樹脂優選離子交換樹脂；所述吸附塔包括第一吸附塔1和第二吸附塔2，兩個吸附塔的設置能夠顯著降低多晶硅中硼雜質含量.

造渣劑塔3用于吸附硼雜質，并將硼雜質氧化成渣，具體實施時，造渣劑塔內的造渣劑為偏硅酸鈉，偏硅酸鈉在吸附、氧化硼雜質的同時，沒有其他雜質形成。

樹脂填料塔4用于進一步吸附硼雜質，提高多晶硅的純度，具體實施時，所述樹脂填料塔4內的樹脂填料為螯合樹脂，優選Lsc樹脂，該樹脂通過與硼雜質形成螯合物，將硼雜質從氯硅烷中去除，提高了多晶硅的純度。

本實用新型通過采用串聯連接的方式將第一吸附塔1、第二吸附塔2、造渣劑塔3和樹脂填料塔4連接，提高了多晶硅的純度，使得多晶硅中硼雜質在0.3ppm以下。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。