[實(shí)用新型]一種除硼裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520654452.1
• 申請(qǐng)日: 2015-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN204897419U
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王增林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧夏金海金晶光電產(chǎn)業(yè)有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/107
• 分類號(hào): C01B33/107
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及多晶硅領(lǐng)域，尤其涉及一種除硼裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體和太陽能電池行業(yè)的發(fā)展，使得原料多晶硅的生產(chǎn)成為熱點(diǎn)行業(yè)，同時(shí)對(duì)多晶硅的純度要求也越來越高，如何有效地去除多晶硅中的雜質(zhì)成為我國多晶硅行業(yè)的難題。含硼化合物種類繁多，成分復(fù)雜，與氯硅烷體系沸點(diǎn)十分接近，如何有效地去除含硼雜質(zhì)成為多晶硅行業(yè)面臨的主要問題。并且現(xiàn)有的除硼裝置往往很難將硼雜質(zhì)的含量降到符合要求的范圍，從而使得多晶硅的品質(zhì)降低，影響發(fā)電效率。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種除硼裝置，該除硼裝置能夠有效去除含硼雜質(zhì)，提高金屬硅的純度。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種除硼裝置，包括吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔；

所述吸附塔、所述造渣劑塔和所述樹脂填料塔通過管道串聯(lián)連接；

所述樹脂填料塔內(nèi)的樹脂填料為螯合樹脂。

優(yōu)選地，所述吸附塔內(nèi)的吸附物質(zhì)為離子交換樹脂。

優(yōu)選地，所述吸附塔包括第一吸附塔和第二吸附塔，所述第一吸附塔和所述第二吸附塔通過管道串聯(lián)連接。

優(yōu)選地，所述造渣劑塔內(nèi)的造渣劑為偏硅酸鈉。

優(yōu)選地，所述螯合樹脂為Lsc樹脂。

本實(shí)用新型的有益效果為：

本實(shí)用新型中樹脂填料塔內(nèi)的樹脂填料為螯合樹脂，螯合樹脂能夠與硼雜質(zhì)通過配位鍵形成螯合物，從而將硼化合物從氯硅烷中去除。另外，本實(shí)用新型通過采用串聯(lián)連接的方式將吸附塔、造渣劑塔和樹脂填料塔連接，提高了多晶硅的純度，使得多晶硅中硼雜質(zhì)在0.3ppm以下。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型除硼裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：

1、第一吸附塔；2、第二吸附塔；3、造渣劑塔；4、樹脂填料塔；5、管道。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型提供的除硼裝置，包括吸附塔、造渣劑塔3和樹脂填料塔4，所述吸附塔、所述造渣劑塔3和所述樹脂填料塔4通過管道5串聯(lián)連接。

吸附塔用于吸附氯硅烷中的硼雜質(zhì)，具體實(shí)施時(shí)，吸附塔內(nèi)填裝吸附樹脂，所述吸附樹脂優(yōu)選離子交換樹脂；所述吸附塔包括第一吸附塔1和第二吸附塔2，兩個(gè)吸附塔的設(shè)置能夠顯著降低多晶硅中硼雜質(zhì)含量.

造渣劑塔3用于吸附硼雜質(zhì)，并將硼雜質(zhì)氧化成渣，具體實(shí)施時(shí)，造渣劑塔內(nèi)的造渣劑為偏硅酸鈉，偏硅酸鈉在吸附、氧化硼雜質(zhì)的同時(shí)，沒有其他雜質(zhì)形成。

樹脂填料塔4用于進(jìn)一步吸附硼雜質(zhì)，提高多晶硅的純度，具體實(shí)施時(shí)，所述樹脂填料塔4內(nèi)的樹脂填料為螯合樹脂，優(yōu)選Lsc樹脂，該樹脂通過與硼雜質(zhì)形成螯合物，將硼雜質(zhì)從氯硅烷中去除，提高了多晶硅的純度。

本實(shí)用新型通過采用串聯(lián)連接的方式將第一吸附塔1、第二吸附塔2、造渣劑塔3和樹脂填料塔4連接，提高了多晶硅的純度，使得多晶硅中硼雜質(zhì)在0.3ppm以下。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。