[實用新型]花型銀納米顆粒熒光增強基底有效
| 申請號： | 201520648538.3 | 申請日： | 2015-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN205038161U | 公開（公告）日： | 2016-02-17 |
| 發明（設計）人： | 徐紅星;梁紅艷;石俊俊;張大霄 | 申請（專利權）人： | 武漢奧曠精密儀器有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/64 | 分類號： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 武漢開元知識產權代理有限公司 42104 | 代理人： | 陳家安 |
| 地址： | 430206 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 花型銀 納米 顆粒 熒光 增強 基底 | ||
【權利要求書】：
1.花型銀納米顆粒熒光增強基底，包括襯底(1)，其特征在于：所述襯底(1)上設置有花型銀納米顆粒層(2)，所述花型銀納米顆粒層(2)為若干個花型銀納米顆粒組成的亞單層結構。
2.根據權利要求1所述的花型銀納米顆粒熒光增強基底，其特征在于：所述花型銀納米顆粒層(2)是覆蓋率為40％—80％的亞單層結構。
3.根據權利要求2所述的花型銀納米顆粒熒光增強基底，其特征在于：所述花型銀納米顆粒粒徑為0.5-1μm,單個所述花型銀納米顆粒表面具有粗糙度5-10nm的納米級粗糙。
4.根據權利要求2所述的花型銀納米顆粒熒光增強基底，其特征在于：所述花型銀納米顆粒粒徑為1-2μm,單個所述花型銀納米顆粒表面具有粗糙度10-100nm的納米級粗糙。
5.根據權利要求2所述的花型銀納米顆粒熒光增強基底，其特征在于：所述花型銀納米顆粒粒徑為2-3μm,單個所述花型銀納米顆粒表面具有粗糙度100-300nm的納米級粗糙。
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