[實用新型]在一集成電路中的位準移位器電路及集成電路系統

有效

• 申請號: 201520643464.4
• 申請日: 2015-08-24
• 公開（公告）號: CN205160496U
• 公開（公告）日: 2016-04-13
• 發明（設計）人: 何富興;黃谷波
• 申請（專利權）人: 吉林克斯公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H03K3/356
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

1.一種在一集成電路中的位準移位器電路，其特征在于，包括：

多個場效晶體管(FET)，其被耦接以提供：

一第一反相器，具有一被配置以接收一具有一第一電源電壓的輸入信號的輸入端口、一輸出埠、以及一偏壓埠；

一第二反相器，具有一耦接至所述第一反相器的所述輸出埠的輸入埠、一輸出埠、以及一耦接至一第二電源電壓的偏壓端口；

一二極管接法的場效晶體管，耦接在所述第二電源電壓與所述第一反相器的所述偏壓埠之間；

一與所述二極管接法的場效晶體管并聯的第一場效晶體管，具有一耦接至所述第二反相器的所述輸出的閘極；以及

一與所述二極管接法的場效晶體管以及所述第一場效晶體管并聯的第二場效晶體管，其具有一被配置以接收一模式選擇信號的閘極。

2.根據權利要求1所述的位準移位器電路，其特征在于，其中所述第一反相器以及所述第二反相器中的每一個包含耦接在所述個別的偏壓端口與一參考電壓之間的一對互補金屬氧化物半導體CMOS的場效晶體管。

3.根據權利要求1所述的位準移位器電路，其特征在于，

所述二極管接法的場效晶體管包括一N型金屬氧化物半導體NMOS場效晶體管，其具有耦接至所述第二電源電壓的一閘極以及一汲極、以及一耦接至所述第一反相器的所述偏壓埠的源極；

所述第一場效晶體管包括一第一P型金屬氧化物半導體PMOS場效晶體管，其具有一耦接至所述第二電源電壓的源極、以及一耦接至所述N型金屬氧化物半導體場效晶體管的所述源極的汲極；以及

所述第二場效晶體管包括一第二P型金屬氧化物半導體場效晶體管，其具有一耦接至所述第二電源電壓的源極、以及一耦接至所述第一P型金屬氧化物半導體場效晶體管的所述汲極以及所述N型金屬氧化物半導體場效晶體管的所述源極的汲極。

4.根據權利要求1所述的位準移位器電路，其特征在于，其中所述第二場效晶體管的所述閘極耦接至所述集成電路的一記憶體電路，以接收所述模式選擇信號。

5.根據權利要求4所述的位準移位器電路，其特征在于，其中所述集成電路的所述記憶體電路被組態設定以靜態地驅動所述模式選擇信號至一邏輯高的值或是邏輯低的值中的一個。

6.根據權利要求1所述的位準移位器電路，其特征在于，所述第二場效晶體管的所述閘極耦接至所述集成電路的一控制電路以接收所述模式選擇信號，其中所述控制電路被組態設定以動態地驅動所述模式選擇信號在邏輯高的值或是邏輯低的值之間。

7.一種集成電路系統，其特征在于，包括：

被配置在復數個電壓域下的多個集成電路，所述多個集成電路的至少一集成電路具有多個單一電源的位準移位器電路，其各自包含：

一第一反相器，其具有一被配置以接收一具有一在所述多個電壓域的一個電壓域中的電源電壓的輸入信號的輸入端口、一輸出埠、以及一偏壓埠；

一第二反相器，其具有一耦接至所述第一反相器的所述輸出埠的輸入埠、一輸出埠、以及一耦接至在所述復數個電壓域的另一個電壓域中的另一電源電壓的偏壓端口；

一二極管接法的場效晶體管，其耦接在所述另一電源電壓與所述第一反相器的所述偏壓埠之間；

一與所述二極管接法的場效晶體管并聯的第一場效晶體管，其具有一耦接至所述第二反相器的所述輸出的閘極；以及

一與所述二極管接法的場效晶體管以及所述第一場效晶體管并聯的第二場效晶體管，其具有一被配置以接收一模式選擇信號的閘極。

8.根據權利要求7所述的集成電路系統，其特征在于，進一步包括：

一第一集成電路，其包含一在所述復數個電壓域的一第一電壓域中的發送器，所述發送器被配置以提供一具有所述第一電壓域的一第一電源電壓的信號；以及

一第二集成電路，其包含一在所述多個電壓域的一第二電壓域中的接收器，所述接收器包含所述復數個單一電源的位準移位器電路中的一第一單一電源的位準移位器電路，其中在所述多個電壓域的所述一個電壓域中的所述電源電壓是在所述第一電壓域中的所述第一電源電壓，并且在所述多個電壓域的所述另一個電壓域中的所述另一電源電壓是在所述第二電壓域中的所述第二電源電壓。