[實用新型]低應力晶圓級圖像芯片封裝結構有效
| 申請號: | 201520628612.5 | 申請日: | 2015-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN205039156U | 公開(公告)日: | 2016-02-17 |
| 發明(設計)人: | 黃雙武;劉辰;黃麥瑞;陳潔 | 申請(專利權)人: | 蘇州科陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 馬明渡;王健 |
| 地址: | 215143 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應力 晶圓級 圖像 芯片 封裝 結構 | ||
1.一種低應力晶圓級圖像芯片封裝結構,其特征在于:包括圖像傳感芯片(1)、透明蓋板(2),此圖像傳感芯片(1)的上表面具有感光區(3),所述透明蓋板(2)邊緣和圖像傳感芯片(1)的上表面邊緣之間具有支撐圍堰(4)從而在透明蓋板(2)和圖像傳感芯片(1)之間形成空腔(13),此支撐圍堰(4)與圖像傳感芯片(1)之間通過膠水層(5)粘合,圖像傳感芯片(1)下表面的四周邊緣區域分布有若干個盲孔(6),所述支撐圍堰(4)由上下疊放的第一支撐圍堰層(41)和第二支撐圍堰層(42)組成,此第一支撐圍堰層(41)與透明蓋板(2)接觸,此第二支撐圍堰層(42)與圖像傳感芯片(1)接觸,所述第二支撐圍堰層(42)內側面具有若干個連續排列的V形缺口(14),所述第二支撐圍堰層(42)四個拐角處均設有弧形缺口(15);
所述盲孔(6)由碗狀孔(61)和位于碗狀孔(61)底部的直孔(62)組成,所述盲孔(6)中碗狀孔(61)的上開口為120~130μm,下開口為62~68μm,孔深為40~45微米;所述盲孔(6)中直孔(62)的上開口為55~60μm,下開口為45~50μm,孔深為34~36微米。
2.根據權利要求1所述的低應力晶圓級圖像芯片封裝結構,其特征在于:所述圖像傳感芯片(1)下表面和盲孔(6)側表面具有鈍化層(7),此盲孔(6)底部具有圖像傳感芯片(1)的引腳焊盤(8),所述鈍化層(7)與圖像傳感芯片(1)相背的表面具有金屬導電圖形層(9),一防焊層(10)位于金屬導電圖形層(9)與鈍化層(7)相背的表面,此防焊層(10)上開有若干個通孔(11),一焊球(12)通過所述通孔(11)與金屬導電圖形層(9)電連接。
3.根據權利要求1所述的低應力晶圓級圖像芯片封裝結構,其特征在于:所述支撐圍堰(4)厚度為20~50微米。
4.根據權利要求1所述的低應力晶圓級圖像芯片封裝結構,其特征在于:所述支撐圍堰(4)寬度為200~300微米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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