[發(fā)明專利]一種鍍膜設備及鍍膜方法

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• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN111206208A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設計）人: 辛科;楊立紅
• 申請（專利權）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本發(fā)明提供一種鍍膜設備及鍍膜方法，鍍膜設備包括相連接的第一沉積腔室和第二沉積腔室，所述第一沉積腔室和第二沉積腔室均包括至少一排非金屬蒸發(fā)源，每一排非金屬蒸發(fā)源對應至少兩排金屬蒸發(fā)源，在每一排非金屬蒸發(fā)源對應的金屬蒸發(fā)源中，至少兩排金屬蒸發(fā)源相對于該排非金屬蒸發(fā)源對稱設置；其中，第二沉積腔室中的每排金屬蒸發(fā)源的總數量為6個。本發(fā)明可生成厚度均勻、性能良好的CIGS薄膜，有效提高了太陽能電池的發(fā)電效率。

技術領域

本發(fā)明涉及太陽能電池襯底的鍍膜技術領域，尤其涉及一種鍍膜設備及鍍 膜方法。

背景技術

薄膜太陽能電池將光能轉化為電能，只要是有光，便可完成由光能到電能 的轉化，為用戶的使用提供了很大的便利，尤其是戶外運動者，即使長時間呆 在戶外，也無需考慮需找地方為用電設備充電的問題。

現有技術中，主要采用磁控濺射的方法在基板上形成CIGS薄膜，以形成 太陽能電池，該方法主要是利用氣體放電產生的正離子在電場的作用下高速運 動進而轟擊作為陰極的靶，使作為陰極的靶中的原子或分子逃逸出來進而沉淀 到基板的表面，以在基板上形成可將太陽能轉化為電能的薄膜。采用該磁控濺 射方法形成的薄膜與基板有較好的附著性，且形成的薄膜的密度較高。

然而，磁控濺射方法是采用環(huán)狀磁場控制下的輝光放電，其成膜速率差且 磁控濺射的設備需要高壓裝置，導致設備復雜昂貴，不利于大規(guī)模生產太陽能 電池。除此之外，通過磁控濺射形成的CIGS薄膜厚度不均勻，質量較差，由 此導致太陽能電池的性能較差，發(fā)電效率較低。

發(fā)明內容

本發(fā)明實施例提供一種鍍膜設備及鍍膜方法，以解決現有技術中通過磁控 濺射法形成的CIGS薄膜厚度不均勻、性能差，造成太陽能電池發(fā)電效率低的 的技術問題。

第一方面，本發(fā)明提供一種鍍膜設備，所述鍍膜設備包括相連接的第一沉 積腔室和第二沉積腔室，其中：

所述第一沉積腔室和第二沉積腔室均包括至少一排非金屬蒸發(fā)源，每一排 所述非金屬蒸發(fā)源對應至少兩排金屬蒸發(fā)源，在每一排所述非金屬蒸發(fā)源對應 的金屬蒸發(fā)源中，至少兩排金屬蒸發(fā)源相對于該排非金屬蒸發(fā)源對稱設置；其 中，第二沉積腔室中每排金屬蒸發(fā)源的總數量為6個。

可選地，所述第一沉積腔室的金屬蒸發(fā)源設置在第一沉積腔室的底部，所 述第一沉積腔室內的金屬蒸發(fā)源包括Ga蒸發(fā)源和In蒸發(fā)源；所述第一沉積腔 室內的非金屬蒸發(fā)源包括Se蒸發(fā)源；

和/或

所述第二沉積腔室的金屬蒸發(fā)源設置在第二沉積腔室的底部，所述第二沉 積腔室內的金屬蒸發(fā)源包括Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源和Ga蒸發(fā)源；所述第二沉 積腔室內的非金屬蒸發(fā)源包括Se蒸發(fā)源。

在第一沉積腔室和第二沉積腔室的兩側且位于襯底下方對稱設置金屬蒸 發(fā)源，能夠使得鍍膜更加均勻，電性能和結晶性能更好。

可選地，上述的鍍膜設備，所述第一沉積腔室的底部包括相對設置的兩側， 每一側設置有至少一排金屬蒸發(fā)源，且每排金屬蒸發(fā)源的總數量為M個，其 中，M為大于等于2且小于等于7的整數；所述第一沉積腔室的每排非金屬蒸 發(fā)源的總數量為N個，其中，N為大于等于3小于等于9的整數；

和/或

所述第二沉積腔室的底部包括相對設置的兩側，每一側設置有至少一排金 屬蒸發(fā)源；所述第二沉積腔室的每排非金屬蒸發(fā)源的總數量為Y個，其中，Y 為大于等于7小于等于15的整數。

可選地，所述第一沉積腔室的每排金屬蒸發(fā)源沿所述第一沉積腔室長度方 向的排布順序依次為：

In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或

Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源；或

In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源；或