[實(shí)用新型]一種基于類單晶鑄錠用籽晶加工設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520618785.9
• 申請(qǐng)日: 2015-08-18
• 公開（公告）號(hào): CN205043986U
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王進(jìn);劉向榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州續(xù)笙硅材料有限公司
• 主分類號(hào): B28D5/00
• 分類號(hào): B28D5/00;B28D7/04
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及類單晶籽晶受到切割工藝設(shè)備，尤其涉及一種基于類單晶鑄錠用籽晶加工設(shè)備。

背景技術(shù)

目前傳統(tǒng)類單晶籽晶受到切割工藝的限制，只能制作156*156mm方塊或長(zhǎng)度700-1200mm寬度50-200mm的長(zhǎng)硅板，選用以上兩種籽晶的方案，存在籽晶之間有間隔的問(wèn)題，間隔的存在破壞了晶向的一致性，同時(shí)也導(dǎo)致晶體的下半段存在晶界，加劇了位錯(cuò)的產(chǎn)生和集中，并且在會(huì)導(dǎo)致雜質(zhì)不均勻聚集。選用拼接式籽晶時(shí)，在融化硅料后期，會(huì)因?yàn)樵O(shè)備的差異性導(dǎo)致融化硅料速度控制不住，而將邊緣籽晶一并融化，從而導(dǎo)致只有中間部分會(huì)形成類單晶體。同時(shí)也增加了生產(chǎn)時(shí)的能耗。作為小尺寸籽晶原料的單晶棒，其價(jià)格穩(wěn)定且昂貴。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是解決上述提出的問(wèn)題，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便，且降低產(chǎn)能消耗的一種基于類單晶鑄錠用籽晶加工設(shè)備。

本實(shí)用新型的目的是以如下方式實(shí)現(xiàn)的：一種基于類單晶鑄錠用籽晶加工設(shè)備，具有工作臺(tái)和設(shè)置在工作臺(tái)上的鋸架，所述工作臺(tái)上設(shè)有真空吸盤機(jī)組。

上述的一種基于類單晶鑄錠用籽晶加工設(shè)備，所述真空吸盤機(jī)組具有三十六個(gè)小吸盤用于輔助吸持類單晶體薄片。

上述的一種基于類單晶鑄錠用籽晶加工設(shè)備，所述真空吸盤機(jī)組底部設(shè)有用于上下、左右、前后移動(dòng)功能的移動(dòng)設(shè)備。

上述的一種基于類單晶鑄錠用籽晶加工設(shè)備，所述小吸盤均勻等分分布。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)：1、使用本方案的作業(yè)方式，可以獲得尺寸156mm-1040mm區(qū)間的任何尺寸籽晶。免去了小面積籽晶的拼接問(wèn)題。

2、使用本方案的超大尺寸籽晶，可有效解決原拼接方案中邊緣籽晶被融化的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)解決了拼接造成的晶向偏離等晶體質(zhì)量問(wèn)題。

3、本方案也可以結(jié)合進(jìn)現(xiàn)有的類單晶生產(chǎn)工藝，只需在硅錠開方切割前增加本方案的作業(yè)程序進(jìn)行一錠一片的切割模式，先切出籽晶片再集中切割邊緣即可，不會(huì)對(duì)原有硅錠的出材率造成影響。

4、相比原有的采用單晶棒作為籽晶原料的方式，直接從類單晶錠上截取籽晶的方案成本更加低廉，這得益于兩種晶體生長(zhǎng)成本的巨大差異。

附圖說(shuō)明

為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖標(biāo)記：1、工作臺(tái)，2、鋸架，3、真空吸盤機(jī)組，4、小吸盤。

具體實(shí)施方式：

見圖1所示，一種基于類單晶鑄錠用籽晶加工設(shè)備，具有工作臺(tái)1和設(shè)置在工作臺(tái)1上的鋸架2，所述工作臺(tái)1上設(shè)有真空吸盤機(jī)組3。所述真空吸盤機(jī)組3具有三十六個(gè)小吸盤4用于輔助吸持類單晶體薄片。所述真空吸盤機(jī)組3底部設(shè)有用于上下、左右、前后移動(dòng)功能的移動(dòng)設(shè)備。所述小吸盤4均勻等分分布。

本實(shí)用新型采用上述的設(shè)備后其生產(chǎn)方案如下：

1、先以傳統(tǒng)的類單晶工藝生長(zhǎng)一個(gè)類單晶硅錠。

2、先將硅錠四周邊側(cè)皮料切除(4個(gè)面各切除3cm)。

3、再沿頂部位置向下1-3cm切除雜質(zhì)區(qū)，隨后向下順延1-5cm入刀，切出厚度均勻類單晶體薄片。

4、切割時(shí)，帶鋸每向前進(jìn)入20％位置時(shí)，按順序?qū)?組真空吸盤吸附到硅板表面。出刀時(shí)調(diào)低切割速度，防止切割震動(dòng)導(dǎo)致硅板破裂。

5、每片切割完成后，循環(huán)4、5步驟，直至出現(xiàn)晶界后，便不可以再進(jìn)行切割。

6、切割完成后，將硅板運(yùn)到專用腐蝕槽內(nèi)。先用氫氟酸加硝酸的混合酸液進(jìn)行表面腐蝕清潔。

7、腐蝕干凈后，排除腐蝕酸，將酸性拋光液注入池內(nèi)，進(jìn)行酸拋光。

8、拋光后送入超聲設(shè)備內(nèi)，去除酸殘留。及熱循環(huán)風(fēng)烘箱進(jìn)行烘干。

9、烘干后套進(jìn)PE袋進(jìn)行防塵包裝。按片包裝入標(biāo)準(zhǔn)托盤木箱。

10、鑄錠現(xiàn)場(chǎng)除去PE防塵袋后，使用真空吸盤車吸附硅板，旋轉(zhuǎn)至水平角度后，緩慢放入坩堝底部。放置完畢后，使用乙醇溶劑清理吸盤吸附位置。

11、后續(xù)裝料至硅錠生產(chǎn)的工藝與原有工藝一致。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。