[實(shí)用新型]一種輸入過欠壓保護(hù)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520618284.0 | 申請(qǐng)日： | 2015-08-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN204794034U | 公開（公告）日： | 2015-11-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉進(jìn)良;薜計(jì)超;李家俊;蔣志偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市正遠(yuǎn)科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H7/10 | 分類號(hào)： | H02H7/10;H02M1/36 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市龍華新*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 輸入 保護(hù) 電路 | ||
1.一種輸入過欠壓保護(hù)電路，其特征在于，包括：整流單元電路（BD1）、欠壓?jiǎn)卧娐罚╖Q1）、過壓?jiǎn)卧娐罚╖Q2）、NPN型三極管（Q1）、MOS管（Q4）和脈沖驅(qū)動(dòng)電路（PWM）；
所述NPN型三極管（Q1），其基極端與所述整流單元電路（BD1）的輸出端連接，其集電極端與所述MOS管（Q4）的柵極端連接，其發(fā)射極端接地（GND）；
所述欠壓?jiǎn)卧娐罚╖Q1），其輸入端與所述整流單元電路（BD1）的輸出端連接，其輸出端與所述NPN型三極管（Q1）的基極端連接；
所述過壓?jiǎn)卧娐罚╖Q2），其輸入端與所述整流單元電路（BD1）的輸出端連接，其輸出端與所述NPN型三極管（Q1）的基極端連接；
所述MOS管（Q4），其柵極端與所述整流單元電路（BD1）的輸出端連接，其漏極端與脈沖驅(qū)動(dòng)電路（PWM）連接，其源極端接地（GND）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述整流單元電路（BD1）與所述NPN型三極管（Q1）之間還串聯(lián)有第一電阻（R3），以及與所述第一電阻（R3）并聯(lián)的第一電容（C1）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述NPN型三極管（Q1）為第一NPN型三極管管；
所述欠壓?jiǎn)卧娐罚╖Q1）至少由第一穩(wěn)壓管（ZD3）和第二NPN型三極管（Q2）構(gòu)成；
所述第一穩(wěn)壓管（ZD3），其負(fù)極端作為所述欠壓?jiǎn)卧娐罚╖Q1）的輸入端，其正極端與所述第二NPN型三極管（Q2）的基極端連接；
所述第二NPN型三極管（Q2），其集電極端作為所述欠壓?jiǎn)卧娐罚╖Q1）的輸入端，其發(fā)射極端接地（GND）。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述過壓?jiǎn)卧娐罚╖Q2）至少由第二穩(wěn)壓管（ZD4）和PNP型三極管（Q3）構(gòu)成；
所述第二穩(wěn)壓管（ZD4），其負(fù)極端作為所述過壓?jiǎn)卧娐罚╖Q2）的輸入端，其正極端與所述PNP型三極管（Q3）的基極端連接；
所述PNP型三極管（Q3），其發(fā)射極連接所述過壓?jiǎn)卧娐罚╖Q）的輸出端，其集電極端接地（GND）。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述整流單元電路（BD1）為橋式整流電路，其輸出端通過依次連接的二極管（D1）、第二電阻（R1）、第三電阻（R2）連接所述MOS管（Q4）、NPN型三極管（Q1）、過壓?jiǎn)卧娐罚╖Q2）、欠壓?jiǎn)卧娐罚╖Q1）；其中，所述二極管（D1）正接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第三電阻（R2）和所述MOS管（Q2）之間串聯(lián)有第四電阻（R4）。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述整流單元電路（BD1）的輸出端連接有接地（GND）的第二電容（CBB1）。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述二極管（D1）的負(fù)極端連接有接地（GND）的極性電容（EC1）；
所述極性電容（EC1）的正極端與所述二極管（D1）的負(fù)極端連接，其負(fù)極端接地（GND）。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第三電阻（R2）與所述MOS管（Q4）、NPN型三極管（Q1）、過壓?jiǎn)卧娐罚╖Q2）、欠壓?jiǎn)卧娐罚╖Q1）連接的一端接有接地（GND）的第三電容（C2），以及第一下拉電阻（R6）。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，其特征在于，所述MOS管（Q4）的柵極端接有第二下拉電阻（R5）。
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