[實用新型]一種提高熔化極氣保焊引弧性能的裝置有效
| 申請號: | 201520606927.X | 申請日: | 2015-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN205020992U | 公開(公告)日: | 2016-02-10 |
| 發明(設計)人: | 張光先;張漢博;楊曉杰 | 申請(專利權)人: | 山東奧太電氣有限公司 |
| 主分類號: | B23K9/06 | 分類號: | B23K9/06;B23K9/173 |
| 代理公司: | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人: | 張勇 |
| 地址: | 250101 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 熔化 極氣保焊引弧 性能 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及熔化極氣保焊的焊接技術領域,尤其涉及一種提高熔化極氣保焊引弧性能的裝置。
背景技術
熔化極氣保焊的引弧都是在焊絲與工件短路后,焊接電源工作進行引弧。這樣的引弧方式成功率較低,經常出現焊絲爆斷、大顆粒飛濺和引弧段焊縫缺陷等問題。隨著全自動焊接的推廣應用,頻繁的引弧和點焊更是對焊機的引弧性能提出了更高的要求。傳統的引弧方式產生的缺陷需要增加處理工序,嚴重影響生產效率和焊接質量。
目前國內外都在從事提高引弧性能方面的研究工作。常用的方法有引弧時降低送絲速度、提升引弧電壓、加熱引弧焊絲以及使用附加電源提高引弧過程中電流上升速率的方法等。
這些方法雖然對引弧性能有所改善,但由于增加了附加電源和焊絲加熱裝置等,導致實現裝置復雜、成本高;并且由于機械開關頻繁動作,導致可靠性降低。最重要的是引弧成功率無法達到100%,而且無法有效解決引弧段焊縫缺陷的問題。
實用新型內容
為解決現有的技術存在的不足,本實用新型提出了一種提高熔化極氣保焊引弧性能的裝置。該裝置能夠準確地將引弧前的空載能量存入電容中,省去了附加電源,降低成本。
為了實現上述目的,本實用新型采用如下技術方案:
一種提高熔化極氣保焊引弧性能的裝置,包括:電容充電控制電路、電容放電控制電路以及裝置關閉控制電路;
所述電容充電控制電路包括:第一控制開關與可控硅Q1連接,通過控制第一控制開關的開通使得可控硅Q1導通;第一控制開關、可控硅Q1和電容C2組成閉合回路,用于在可控硅Q1導通的時候,為電容C2充電;
所述電容放電控制電路包括:第一控制開關、電容C2和二極管D1組成閉合回路,電容C2通過二極管D1進行放電,為焊接電源提供瞬時電流;
所述裝置關閉控制電路包括:第二控制開關與MOS管D3連接,通過第二控制開關控制MOS管D3導通,電容C2和二極管D1分別與MOS管D3形成電流釋放回路,使得整個裝置完全關閉,不會再對焊接電源產生作用,防止對正常焊接產生影響。
所述第一控制開關優選為第一可控硅KF1,所述第一可控硅KF1優選為光敏可控硅。所述第二控制開關優選為光耦KF2。選擇光敏器件是為了將控制系統和執行裝置隔離,增加系統可靠性。
所述電容充電控制電路具體為:
第一可控硅KF1的陽極通過電阻R2與可控硅Q1的陽極連接,第一可控硅KF1的陰極與可控硅Q1的控制極連接,第一可控硅KF1的控制極經過電容C1與其陰極連接,電阻R3并聯在電容C1兩端;電容C2一端與可控硅Q1的陰極連接,另一端與可控硅Q1的控制極連接。
所述電容放電控制電路具體為:
第一可控硅KF1的陽極通過電阻R2與二極管D1的陰極連接,電容C2一端與第一可控硅KF1的陰極連接,另一端與二極管D1的陽極連接,電容C2兩端并聯電阻R4,二極管D1的陰極串聯電阻R1后接入焊接電源正極。
所述裝置關閉控制電路包括:
光耦KF2的光敏三極管發射極與MOS管D3的柵極連接,光敏三極管的集電極依次串聯電阻R6和電阻R5后與MOS管D3的源極連接,光敏三極管發射極串聯電阻R7后與MOS管D3的漏極連接,MOS管D3的漏極接入焊接電源負極;MOS管D3的源極串接電阻R5后與電容放電控制電路連接。
所述MOS管D3的源極串接電阻R5后與二極管D1的陽極連接,電解電容C3的正極與二極管D1的陽極連接,負極接入焊接電源負極;二極管D2的陰極與二極管D1的陽極連接,陽極接入焊接電源負極。
電容C2的剩余電荷通過電阻R5和MOS管D3組成的回路釋放,二極管D1的漏電流也通過電阻R5和MOS管D3組成的回路釋放,這樣就有效避免了整套裝置對焊接的影響。
當焊槍開關按下后,可控硅Q1導通,MOS管D3關斷;焊機通過可控硅Q1在設定時間以內對電解電容C3完成充電,電解電容C3充滿后可控硅Q1自動關閉;
當焊絲與工件接觸后,電解電容C3通過二極管D1放電,極高的電流上升率引燃電弧;
電弧引燃后,MOS管D3打開,保證整個裝置完全關閉。
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