[實(shí)用新型]適用于大規(guī)模制備氧化鋅納米線陣列的部件及裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520604851.7 | 申請(qǐng)日: | 2015-08-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204874727U | 公開(公告)日: | 2015-12-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 詹兆堯;徐利平;陸文強(qiáng);沈俊;李昕;王亮;李奇昆;何培培 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | C23C16/40 | 分類號(hào): | C23C16/40;C30B25/02;C30B29/16;C30B29/60;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 尹麗云 |
| 地址: | 400714 *** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 適用于 大規(guī)模 制備 氧化鋅 納米 陣列 部件 裝置 | ||
1.一種適用于大規(guī)模制備氧化鋅納米線陣列的部件,至少包括一硅襯底和供盛放化學(xué)反應(yīng)物的舟,其特征在于:所述硅襯底任一端面上制備有一粗糙表面,且所述硅襯底制備有粗糙表面的一面朝向供盛放化學(xué)反應(yīng)物的舟進(jìn)行放置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于大規(guī)模制備氧化鋅納米線陣列的部件,其特征在于:所述粗糙表面由采用反應(yīng)離子刻蝕的方法在硅襯底上制得。
3.一種適用于大規(guī)模制備氧化鋅納米線陣列的裝置,其特征在于:包括一用于在采用高溫化學(xué)氣相沉淀方法條件下來制備氧化鋅納米線陣列的真空管式爐和權(quán)利要求1或2所述的部件,所述部件放置于所述真空管式爐內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于大規(guī)模制備氧化鋅納米線陣列的裝置,其特征在于,所述部件中的舟內(nèi)盛放有氧化鋅粉和碳材料的物理混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的適用于大規(guī)模制備氧化鋅納米線陣列的裝置,其特征在于,所述碳材料為金剛石顆粒或者納米金剛石顆粒。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





