[實(shí)用新型]一種抽油機(jī)保護(hù)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520603168.1
• 申請(qǐng)日: 2015-08-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204965081U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳長(zhǎng)江;耿明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市奧盛通科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G05B19/042
• 分類(lèi)號(hào): G05B19/042;E21B43/00
• 代理公司: 深圳市愛(ài)迪森知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44341
• 代理人: 何婷;曾利紅

1.一種抽油機(jī)保護(hù)器，其特征在于，所述保護(hù)器包括微控制器MCU、AC監(jiān)控電路、繼電器控制電路和磁保持繼電器，具體的：

所述MCU連接所述AC監(jiān)控電路，其中所述AC監(jiān)控電路用于監(jiān)控抽油機(jī)AC供電狀態(tài)；AC監(jiān)控電路將監(jiān)控到的抽油機(jī)停電的電路情況反饋給MCU，MCU通過(guò)繼電器控制電路控制磁保持繼電器斷開(kāi)抽油機(jī)自啟動(dòng)回路；

所述繼電器控制電路連接MCU，用于接收MCU控制電平，并實(shí)現(xiàn)對(duì)磁保持繼電器加控制電壓，控制磁保持繼電器的閉合或者斷開(kāi)；

所述磁保持繼電器：用于接通或斷開(kāi)抽油機(jī)的自啟動(dòng)回路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器，其特征在于，所述繼電器控制電路包括2個(gè)增強(qiáng)型P溝道管MOSFET和2個(gè)增強(qiáng)型N溝道管MOSFET和，具體的：

第一增強(qiáng)型P溝道管MOSFET的集電極和第一增強(qiáng)型N溝道管MOSFET的集電極串聯(lián)構(gòu)成第一串聯(lián)通路，第二增強(qiáng)型P溝道管MOSFET的集電極和第二增強(qiáng)型N溝道管MOSFET的集電極串聯(lián)構(gòu)成第一串聯(lián)通路，所述第一串聯(lián)通路和第二串聯(lián)通路并聯(lián)后，第一增強(qiáng)型P溝道管MOSFET的源極和第二增強(qiáng)型P溝道管MOSFET的源極接通靜態(tài)工作電壓，以第二增強(qiáng)型N溝道管MOSFET的源極和第二增強(qiáng)型N溝道管MOSFET的源極接地；

所述各MOSFET管的柵極接口中的一個(gè)或者多個(gè)用于連接MCU的控制端口；

由所述第一串聯(lián)通路中第一增強(qiáng)型P溝道管MOSFET和第一增強(qiáng)型N溝道管MOSFET的集電極通路之間引出電壓控制輸出接口A，第二增強(qiáng)型P溝道管MOSFET和第二增強(qiáng)型N溝道管MOSFET的集電極通路之間引出電壓控制輸出接口B。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)器，其特征在于，所述磁保持繼電器包括兩個(gè)電壓控制輸入接口和兩個(gè)通路控制接口，具體的：

所述兩個(gè)電壓控制輸入接口分別用于連接繼電器控制電路的電壓控制輸出接口A和電壓控制輸出接口B，所述兩個(gè)電壓控制輸入接口連接磁保持繼電器的電磁線圈；

所述兩個(gè)通路控制接口串接到抽油機(jī)的自啟動(dòng)回路，所述兩個(gè)通路控制接口由磁保持繼電器中的永磁鐵與所述電磁線圈的正向合并完成閉合或者反向合并完成斷開(kāi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的保護(hù)器，其特征在于，所述繼電器控制電路具體包括：

第一增強(qiáng)型N溝道管MOSFET的柵極接收到MCU控制電平為高電平，第一增強(qiáng)型P溝道管MOSFET的柵極接收到MCU控制電平為低電平，則電壓控制輸出接口A輸出為低電平；第二增強(qiáng)型N溝道管MOSFET的柵極接收到MCU控制電平為低電平，第二增強(qiáng)型P溝道管MOSFET的柵極接收到MCU控制電平為高電平，則電壓控制輸出接口B輸出為高電平；此時(shí)磁保持繼電器收到正向控制電壓，兩個(gè)通路控制接口閉合。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的保護(hù)器，其特征在于，所述繼電器控制電路具體包括：

第一增強(qiáng)型N溝道管MOSFET的柵極接收到MCU控制電平為低電平，第一增強(qiáng)型P溝道管MOSFET的柵極接收到MCU控制電平為高電平，則電壓控制輸出接口A輸出為高電平；第二增強(qiáng)型N溝道管MOSFET的柵極接收到MCU控制電平為高電平，第二增強(qiáng)型P溝道管MOSFET的柵極接收到MCU控制電平為低電平，則電壓控制輸出接口B輸出為低電平；此時(shí)磁保持繼電器收到反向控制電壓，兩個(gè)通路控制接口斷開(kāi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器，其特征在于，所述保護(hù)器還包括人工輸入接口，具體的：

所述人工輸入接口用于，在油井由停電狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橹匦聛?lái)電時(shí)，直到操作人員通過(guò)所述人工輸入接口輸入閉合指令，磁保持繼電器重新閉合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器，其特征在于，所述保護(hù)器的MCU還包括計(jì)時(shí)器，具體的：

所述計(jì)時(shí)器用于，在油井由停電狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橹匦聛?lái)電時(shí)，直到計(jì)時(shí)器計(jì)時(shí)達(dá)到預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)值，磁保持繼電器重新閉合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器，其特征在于，還包括指示燈，具體的：

所述指示燈用于指示保護(hù)器工作狀態(tài)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器，其特征在于，所述MCU具體為型號(hào)MSP430G的處理芯片。