[實用新型]射頻信號收發機芯片中的可變增益放大器

有效

• 申請號: 201520598433.1
• 申請日: 2015-08-10
• 公開（公告）號: CN204993266U
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發明（設計）人: 黃海生;陳順舟;李鑫
• 申請（專利權）人: 西安郵電大學
• 主分類號: H03G3/20
• 分類號: H03G3/20
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 趙逸宸

1.一種射頻信號收發機芯片中的可變增益放大器，其特征在于：包括至少一個低三位二進制可變增益放大單元，至少一個高兩位二進制可變增益放大單元，用于向低三位二進制可變增益放大單元、高兩位二進制可變增益放大單元提供使能信號和相同尾電流的偏置電路；正交兩路信號依次經低三位二進制可變增益放大單元和高兩位二進制可變增益放大單元進行可變增益放大后輸出；或正交兩路信號依次經高兩位二進制可變增益放大單元和低三位二進制可變增益放大單元進行可變增益放大后輸出。

2.根據權利要求1所述的射頻信號收發機芯片中的可變增益放大器，其特征在于：若所述可變增益放大單元為兩個及兩個以上時，低三位二進制的多個可變增益放大單元之間級聯，高兩位二進制的多個可變增益放大單元之間級聯。

3.根據權利要求1所述的射頻信號收發機芯片中的可變增益放大器，其特征在于：所述低三位二進制可變增益放大單元和高兩位二進制可變增益放大單元均為采用電阻負載作為跨阻放大器的可變增益放大器。

4.根據權利要求1至3任一所述的射頻信號收發機芯片中的可變增益放大器，其特征在于：所述偏置電路包括與門AND2X2、NMOS管(M3、M17)、兩個反相器INVX2，使能信號EN和模式選擇信號MODE先通過與門AND2X2產生信號ENN，信號ENN接到NMOS管M17的柵極，使能信號EN和模式選擇信號MODE再通過反相器INVX2產生信號ENB,信號ENB接到NMOS管M3的柵極；在使能信號EN和模式選擇信號MODE都開啟的作用下，且信號EN、信號MODE、信號ENN均為高電平時，輸入信號IB25首先送入IB，輸入的數字控制信號BI<2:0>先通過兩個反相器INVX2，進而與輸入IB25信號一起控制偏置電路的輸出信號IB2，IB1，IB0。

5.根據權利要求1所述的射頻信號收發機芯片中的可變增益放大器，其特征在于：所述高兩位二進制可變增益放大單元包括反相器INVX2、NMOS管(M0、M4、M21、M74)、PMOS管(M13、M17、M80、M81)和電阻陣列模塊RES2；使能信號EN經過反相器INVX2產生信號BENB，信號BENB接到NMOS管M0的柵極，當BENB為高電平時，偏置電流IB25輸入到高兩位二進制可變增益放大單元中；BENB再經過一個反相器產生信號BEN，信號BEN接到NMOS管M4的柵極；輸入數字控制信號B<4>，B<3>在送到VGA2的電阻陣列RES2的輸入信號端口B<4>和B<3>中的同事，輸入數字控制信號B<4>，B<3>通過一個與非門NAND2X1和一個或非門NOR2X1，分別產生信號S1和S2,信號S1送到PMOS管M17和M81的柵極，信號S2送到PMOS管M13和M80的柵極；高兩位二進制可變增益放大單元中包含一個電阻陣列模塊RES2，電阻陣列模塊RES2的輸入A端口接在PMOS管M21的漏極上，輸出B端口接在PMOS管M74的漏極上，通過調節RES2輸入信號B<4>和B<3>來控制RES2的阻值大小，進而控制高兩位二進制可變增益放大單元的增益大小。

6.根據權利要求5所述的射頻信號收發機芯片中的可變增益放大器，其特征在于：所述電阻陣列模塊RES2的輸入數字控制信號B<4>，B<3>先通過一個2線-4線編碼器，產生4種狀態的編碼控制信號S1，S2，S3，S4，通過編碼控制信號S1，S2，S3，S4的開斷來控制輸入端A和輸出端B之間的電阻值大小。