[實(shí)用新型]基于P型硅襯底的背接觸式太陽(yáng)能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520594804.9 | 申請(qǐng)日: | 2015-08-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN204834653U | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂欣;崇鋒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 黃河水電光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/068 | 分類號(hào): | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰;黃進(jìn) |
| 地址: | 810007 *** | 國(guó)省代碼: | 青海;63 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 襯底 接觸 太陽(yáng)能電池 | ||
1.一種基于P型硅襯底的背接觸式太陽(yáng)能電池,其特征在于,包括一P型硅襯底,所述P型硅襯底具有相對(duì)的一受光面和一背面,所述受光面為經(jīng)過(guò)織構(gòu)化處理形成的絨面,所述背面為經(jīng)過(guò)平坦化處理形成的平面;所述P型硅襯底的受光面設(shè)置有摻雜硼的p+摻雜層,所述受光面上設(shè)置有第一減反鈍化膜;所述P型硅襯底的背面設(shè)置有依次交替排布的多個(gè)摻雜硼的p+摻雜區(qū)和多個(gè)摻雜磷n+摻雜區(qū),每一p+摻雜區(qū)中設(shè)置有一p++重?fù)诫s區(qū),每一n+摻雜區(qū)中設(shè)置有一n++重?fù)诫s區(qū),所述背面上設(shè)置有第二減反鈍化膜,所述第二減反鈍化膜上設(shè)置有相互絕緣的第一電極和第二電極,所述第一電極穿過(guò)所述第二減反鈍化膜電性連接于所述p++重?fù)诫s區(qū),所述第二電極穿過(guò)所述第二減反鈍化膜電性連接于所述n++重?fù)诫s區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述第一電極和第二電極均為叉指狀的金屬電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述第一減反鈍化膜和第二減反鈍化膜為一層以上的薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述第一減反鈍化膜和第二減反鈍化膜的材料為SiO2、SiNx、TiO2、AlOx或MgF2。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





