[實用新型]一種低濃度超薄的IGBT芯片有效
| 申請號： | 201520585638.6 | 申請日： | 2015-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN204991716U | 公開（公告）日： | 2016-01-20 |
| 發明（設計）人： | 關仕漢 | 申請（專利權）人： | 淄博漢林半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和專利代理事務所 37223 | 代理人： | 孫愛華 |
| 地址： | 255086 山東省淄博市高新技術*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 濃度 超薄 igbt 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種低濃度超薄的IGBT芯片，包括P型的襯底（1），在襯底（1）上依次設有N型的第一外延層（2）和第二外延層（3），在第二外延層（3）上設置MOS結構，芯片最上方覆蓋有金屬層（4），其特征在于：襯底（1）的摻雜濃度為1015~1017個/cm3，襯底（1）的厚度為1~20μm。
2.根據權利要求1所述的低濃度超薄的IGBT芯片，其特征在于：所述的襯底（1）的厚度為1~10μm。
3.一種低濃度超薄的IGBT芯片，包括N型的襯底（1），在襯底（1）上依次設有P型的第一外延層（2）和第二外延層（3），在第二外延層（3）上設置MOS結構，芯片最上方覆蓋有金屬層（4），其特征在于：襯底（1）的摻雜濃度為1015~1017個/cm3，襯底（1）的厚度為1~20μm。
4.根據權利要求3所述的低濃度超薄的IGBT芯片，其特征在于：所述的襯底（1）的厚度為1~10μm。
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