[實用新型]增加散熱效能的功率元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520564694.1
• 申請日: 2015-07-30
• 公開（公告）號: CN204885135U
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發(fā)明（設計）人: 廖奇泊;周雯
• 申請（專利權）人: 上海晶亮電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367
• 代理公司: 上海漢聲知識產(chǎn)權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

技術領域

本實用新型涉及一種半導體元件，具體地，涉及一種增加散熱效能的功率元件。

背景技術

在功率元件模塊封裝應用中，電流通過整體元器件模塊的阻抗便會產(chǎn)生熱，此熱能若不及時排除便會造成元件溫度升高之現(xiàn)象。元件溫度升高，會使其中的阻抗跟著上升，進而產(chǎn)生更多的熱，如此周而復始，便容易使元件產(chǎn)生雪崩現(xiàn)象。一個好的功率元件模塊封裝必須能將元件運作時產(chǎn)生的熱及時導出、排除。然而，現(xiàn)有功率元件模塊封裝系列皆存在散熱效能不佳的情況。

實用新型內容

針對現(xiàn)有技術中的缺陷，本實用新型的目的是提供一種增加散熱效能的功率元件，其增加其散熱效能，進而避免元件產(chǎn)生雪崩現(xiàn)象。

根據(jù)本實用新型的一個方面，提供一種功率元件，其特征在于，包括芯片、焊料層、多個導電板、陶瓷層、第一焊接點、第一引線、第二引線、第二焊接點，焊料層位于芯片和導電板之間，導電板位于陶瓷層的上方，第一焊接點位于芯片上，第一引線與第一焊接點連接，第二焊接點位于導電板上，第二引線的一端與第一焊接點連接，第二引線的另一端與第二焊接點連接。

優(yōu)選地，所述陶瓷層的材料為氧化鋁或氮化鋁。

優(yōu)選地，所述導電板鏈接到漏極或/和源極。

優(yōu)選地，所述導電板的材料為銅或金或銀或銅或鐵或不銹鋼。

優(yōu)選地，所述導電板為散熱基板。

優(yōu)選地，所述陶瓷層的寬度大于導電板的寬度。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有如下的有益效果：本實用新型將原本的散熱基板分為多塊(塊數(shù)不限)，大部分的散熱基板鏈接到漏極維持其原有的散熱功效。小部分的散熱基板用于鏈接到源極使芯片表面金屬及PN結(PN-junction)在功率元件運作時產(chǎn)生的熱能經(jīng)由此處快速有效的導出，以達到功率元件不升溫的目標，維持功率元件阻抗不變，避免雪崩現(xiàn)象產(chǎn)生，進而提升整體模塊的轉換效率，及其產(chǎn)品驗證可靠性。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本實用新型的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：

圖1為本實用新型增加散熱效能的功率元件的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本實用新型進行詳細說明。以下實施例將有助于本領域的技術人員進一步理解本實用新型，但不以任何形式限制本實用新型。應當指出的是，對本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進。這些都屬于本實用新型的保護范圍。

如圖1所示，本實用新型增加散熱效能的功率元件包括芯片1、焊料層2、多個導電板3、陶瓷層4、第一焊接點5、第一引線6、第二引線7、第二焊接點8，焊料層2位于芯片1和導電板3之間，導電板3位于陶瓷層4的上方，第一焊接點5位于芯片1上，第一引線6與第一焊接點5連接，第二焊接點8位于導電板3上，第二引線7的一端與第一焊接點5連接，第二引線7的另一端與第二焊接點8連接。陶瓷層的材料為氧化鋁或氮化鋁。導電板3鏈接到漏極或/和源極。導電板的材料為銅或金或銀或銅或鐵或不銹鋼。導電板為散熱基板。陶瓷層4的寬度大于導電板的寬度，這樣穩(wěn)定性。

本實用新型通過多個導電板可將IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)模塊中元件初始產(chǎn)生的熱及時排除，避免IGBT模塊整體溫度上升，保持電源元件及其他元件在低溫環(huán)境運行，維持其固定阻抗及較高的電源轉換效率，同時避免因高溫而損壞，維持電源元件在低溫運行避免雪崩現(xiàn)象以達到保護元件之功效，延長整體模塊的使用壽命。本實用新型可及時把熱能排除，使產(chǎn)品能在較大溫度范圍的環(huán)境里進行操作。本實用新型的穩(wěn)定的模塊元件阻抗可以產(chǎn)生較好的可靠性。本實用新型能將元件運作時產(chǎn)生的熱及時導出和排除。

以上對本實用新型的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本實用新型并不局限于上述特定實施方式，本領域技術人員可以在權利要求的范圍內做出各種變形或修改，這并不影響本實用新型的實質內容。