[實(shí)用新型]一種質(zhì)子轉(zhuǎn)移質(zhì)譜儀

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520549805.1
• 申請日: 2015-07-27
• 公開（公告）號: CN204885082U
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張振華;胡曉光;魏文
• 申請（專利權(quán)）人: 北京凱爾科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: H01J49/10
• 分類號: H01J49/10;H01J49/40
• 代理公司: 北京匯信合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11335
• 代理人: 昝美琪

1.一種質(zhì)子轉(zhuǎn)移質(zhì)譜儀，其特征在于，包括：離子源、離子選擇器(3)、色譜柱(4)、儲氣罐(5)、離子光學(xué)系統(tǒng)(6)、TOF源(7)和射頻離子漏斗(9)，所述離子源包括軟電離源(1)和非化學(xué)電離源(2)；

還包括試劑氣體入口(8)和進(jìn)樣口(10)；

所述離子選擇器(3)三面開口，允許離子流從兩個(gè)方向進(jìn)入，其中垂直于出口的入射離子流在所述離子選擇器(3)的內(nèi)電場作用下，發(fā)生90°偏轉(zhuǎn)達(dá)到與出口軸線平行的角度，并從出口處流出；

所述儲氣罐(5)與所述色譜柱(4)的入口連接，所述色譜柱(4)與所述非化學(xué)電離源(2)的入口連接，所述軟電離源(1)和所述非化學(xué)電離源(2)的離子出口通道共同連接到所述離子選擇器(3)上，所述離子選擇器(3)的出口連接到所述離子光學(xué)系統(tǒng)(6)的入口處，所述離子光學(xué)系統(tǒng)(6)的出口連接到所述TOF源(7)的入口處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)子轉(zhuǎn)移質(zhì)譜儀，其特征在于，所述軟電離源(1)和所述射頻離子漏斗(9)串行連接，并通過所述射頻離子漏斗(9)連接在所述離子選擇器(3)上，所述非化學(xué)電離源(2)連接在所述離子選擇器(3)的另一個(gè)入口處，所述軟電離源(1)與所述非化學(xué)電離源(2)在空間的相對位置為相互垂直。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)子轉(zhuǎn)移質(zhì)譜儀，其特征在于，所述離子選擇器(3)采用四極桿原理，其與非化學(xué)電離源(2)和射頻離子漏斗(9)的連接角度選自90°、180°和270°中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)子轉(zhuǎn)移質(zhì)譜儀，其特征在于，所述非化學(xué)電離源(2)和所述射頻離子漏斗(9)的離子射出束流軸線，分別正對所述離子選擇器(3)的正向和側(cè)面的離子入射中心。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)子轉(zhuǎn)移質(zhì)譜儀，其特征在于，被測樣品經(jīng)過三通電磁閥選擇，進(jìn)入所述軟電離源(1)的所述進(jìn)樣口(10)或者所述儲氣罐(5)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)子轉(zhuǎn)移質(zhì)譜儀，其特征在于，采用外部部件完成真空度的分配，確保所述軟電離源(1)的低真空度與所述非化學(xué)電離源(2)的高真空度協(xié)調(diào)工作，互不影響，其中所述軟電離源(1)的真空度在0.1～5mbar之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的質(zhì)子轉(zhuǎn)移質(zhì)譜儀，其特征在于，所述軟電離源(1)、所述非化學(xué)電離源(2)、所述離子選擇器(3)、所述離子光學(xué)系統(tǒng)(6)、所述TOF源(7)和所述射頻離子漏斗(9)內(nèi)均保持負(fù)壓狀態(tài)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的質(zhì)子轉(zhuǎn)移質(zhì)譜儀，其特征在于，所述軟電離源(1)、所述非化學(xué)電離源(2)、所述離子選擇器(3)、所述離子光學(xué)系統(tǒng)(6)、所述TOF源(7)和所述射頻離子漏斗(9)的內(nèi)壓力關(guān)系為：所述軟電離源(1)>所述射頻離子漏斗(9)>所述非化學(xué)電離源(2)>所述離子選擇器(3)>所述離子光學(xué)系統(tǒng)(6)>所述TOF源(7)。