[實(shí)用新型]一種分立器件的圓胞結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520541985.9
• 申請(qǐng)日: 2015-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN204857726U
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸懷谷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市谷峰電子有限公司;香港谷峰半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31253
• 代理人: 馮子玲

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種分立器件的圓胞結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，常規(guī)的分立器件的圓胞形狀是條形、三角形、正方形、菱形和六邊形圓胞結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種圓胞形狀結(jié)構(gòu)的溝道寬度利用率不高，導(dǎo)致分立器件性能無法進(jìn)一步提高。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種分立器件的圓胞結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是，一種分立器件的圓胞結(jié)構(gòu)，所述圓胞形狀為正多邊形，所包括的邊的數(shù)量大于等于12。

所述的圓胞形狀為正三十六邊形。

所述的圓胞形狀為正六十四邊形。

所述的圓胞形狀的正多邊形的邊的數(shù)量為無窮大，即所述的圓胞形狀為圓形。

所述分立器件為MOSFET或IGBT或Diode。

本實(shí)用新型可以提高分立器件溝道寬度利用率,提升分立器件溝道密度,優(yōu)化性能。

附圖說明

通過參考附圖閱讀下文的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型示例性實(shí)施方式的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得易于理解。在附圖中，以示例性而非限制性的方式示出了本實(shí)用新型的若干實(shí)施方式，其中：

圖1是現(xiàn)有分立器件的圓胞結(jié)構(gòu)示意圖，包括正方形,菱形,三角形,六邊形,條形圓胞結(jié)構(gòu)。

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例中的正十二邊形圓胞結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例中的圓形圓胞結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖2和圖3所示，一種分立器件的圓胞結(jié)構(gòu)，所述圓胞形狀為正十二邊形，所述的圓胞形狀為圓形。圓胞形狀可以是正十二邊形、正三十六邊形或正六十四邊形。對(duì)于圓胞的Pitch,PolyCD,ContactCD沒有限制。器件類型不限,可以是MOSFET,IGBT,Diode等。

ContactCD是接觸孔的條寬，PolyCD是多晶的條寬。

傳統(tǒng)的分立器件圓胞結(jié)構(gòu),條形,三角形,正方形,菱形,六邊形圓胞結(jié)構(gòu),溝道寬度利用率不高。本實(shí)用新型提出一種極限圓胞結(jié)構(gòu),提高了溝道寬度利用率。

值得說明的是，雖然前述內(nèi)容已經(jīng)參考若干具體實(shí)施方式描述了本實(shí)用新型創(chuàng)造的精神和原理，但是應(yīng)該理解，本實(shí)用新型創(chuàng)造并不限于所公開的具體實(shí)施方式，對(duì)各方面的劃分也不意味著這些方面中的特征不能組合，這種劃分僅是為了表述的方便。本實(shí)用新型創(chuàng)造旨在涵蓋所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)所包括的各種修改和等同布置。