[實用新型]一種MOSFET芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201520532509.0
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN204792770U
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 曹凱;謝皆雷;羅立輝;吳超
• 申請（專利權）人: 寧波芯健半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 余姚德盛專利代理事務所(普通合伙) 33239
• 代理人: 胡小永

技術領域

本實用新型涉及芯片封裝領域，具體涉及一種MOSFET芯片封裝結構。

背景技術

隨著消費電子輕小化、低功耗以及功能的多樣化趨勢，要求主板上集成的器件越來越多，預留給器件的空間越來越小，封裝后的芯片必須輕薄短小，從而為設計者在小型化和高性能之間提供更大的選擇空間。

MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)是利用電場效應來控制半導體的場效應晶體管。由于MOSFET具有可實現低功耗電壓控制的特性，近年來被廣泛應用在大量電子設備中，包括電源、汽車電子、計算機和智能手機中等。目前MOSFET封裝主要是TO、SOT、SOP、QFP、QFN等形式，這類封裝都是將芯片包裹在塑封體內，塑封本身增加了器件尺寸，不符合半導體向輕、短、薄、小方向發展的要求，而且無法將芯片工作時產生的熱量及時導走或散去，制約了MSOFET性能提升，另外就封裝工藝而言，這類封裝都是基于單顆芯片進行，存在生產效率低、封裝成本高的問題。

MOSFET性能特別是電流承載能力的優劣很大程度上取決于散熱性能和電流的傳導電阻，電流的傳導電阻取決于傳導路徑長短(即與于芯片的厚度密切相關)，散熱性能的好壞又主要取決于封裝形式。針對目前MOSFET存在問題，有人提出采用WLCSP與TSV相結合的封裝工藝。垂直MOSFET器件典型地努力通過將漏極置于與源極接點(源極觸點，sourcecontact)的表面相反(opposite)的表面上來實現低的RDS(on)。通過將漏極置于與源極接點相反的表面上，縮短了用于電流的傳導通路(導電路徑，conductionpath)，這使得RDS(on)降低。然而，將漏極和漏極接點置于與放置源極接點的表面相反(并且不同)的表面上，對于晶圓級芯片規模封裝(WLCSP)，因為必須向該封裝體的兩個側面提供電子連接。當利用WLCSP來封裝晶體管時，需要將所有接點(包括源極接點、漏極接點和柵極接點)置于封裝體的相同側面(同一個側面，sameside)上。這種類型的構造允許利用在WLCSP的一個表面上的連接于各個晶體管端子(接線端，terminal)的焊球而容易地連接至電路板布線(circuitboardtrace)。但是WLCSP和TSV相結合的封裝工藝復雜，良率低，成本很高。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服上述封裝的問題，本發明提供的一種MOSFET芯片封裝結構，使得所屬的封裝結構工藝簡單，可進行芯片級加工，效率高，周期短，良率高，封裝的體積比較小，具有非常低的漏源接通電阻優異電性能和很好的散熱性能。

為實現上述目的，本實用新型所采用的技術方案是：

一種MOSFET芯片封裝結構，封裝結構包括單顆MOSFET芯片，載板，所述單顆MOSFET芯片正面通過其上的凸點與載板上的載板焊盤進行連接，且所述單顆MOSFET芯片背面通過導電殼與所述載板焊盤進行連接，且，導電殼的殼爪可插入載板焊盤中，并在單顆MOSFET芯片和載板以及導電殼之間具有填充物。

所述單顆MOSFET芯片上的所述凸點包括單一結構或多層結構，成分包括單一金屬或金屬合金。

所述載板為基板、PCB板或者金屬框架。

所述MOSFET芯片的電極面還包括一層絕緣保護層。

本實用新型的優點和有益效果在于：芯片背面通過導電層與載板焊盤進行連接，減少漏源的接通電阻。

附圖說明

圖1是本實用新型的MOSFET芯片封裝結構的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本實用新型的技術方案，而不能以此來限制本實用新型的保護范圍。