[實(shí)用新型]一種中小功率變頻器用IGBT功率組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520528494.0
• 申請(qǐng)日: 2015-07-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204946906U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-01-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王丕龍;王新強(qiáng);李向坤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/739
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/739;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 龔燮英

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到一種中小功率變頻器用IGBT功率組件。

背景技術(shù)

中小功率(0.4KW-5.5KW)變頻器領(lǐng)域目前使用的IGBT中，IGBT器件背面為鍍錫銅基板，在IGBT器件安裝于變頻器上時(shí)存在大電流經(jīng)過(guò)后產(chǎn)生的背面基板高壓放電破壞器件及變頻器的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)散熱方面由于存在較多的接觸空洞極易導(dǎo)致IGBT器件散熱性能不佳。

中國(guó)專(zhuān)利(公開(kāi)號(hào)CN203774320U，公開(kāi)日2014年8月13日)公開(kāi)了一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，在散熱器和陶瓷板之間涂導(dǎo)熱硅脂層，加強(qiáng)散熱效果。

增加的導(dǎo)熱硅脂層可以加強(qiáng)陶瓷板和散熱器之間的熱量交換，但場(chǎng)效應(yīng)管和陶瓷板之間的熱量交換未得到改善。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型為克服上述缺陷，提供一種中小功率變頻器用IGBT功率組件，進(jìn)一步改善散熱效果，解決安裝后的高壓放電和散熱性能不佳的問(wèn)題。

本實(shí)用新型的中小功率變頻器用IGBT功率組件，在IGBT器件背焊接陶瓷片，在陶瓷片兩面涂導(dǎo)熱硅脂，形成導(dǎo)熱硅脂層。

導(dǎo)熱硅脂層厚度50微米，導(dǎo)熱系數(shù)2W。

組件外形與現(xiàn)有IGBT器件的外形基本相同，主要改變?yōu)樵谠蠭GBT背面鍍錫銅基本后面焊接陶瓷片+兩面硅脂。

和目前常規(guī)無(wú)陶瓷片封裝形式的性能比較：

陶瓷片+兩面硅脂的熱阻分析：

陶瓷片0.635mm厚度熱阻值0.31℃/W，兩面導(dǎo)熱硅脂(導(dǎo)熱系數(shù)3瓦，涂層厚度30微米)熱阻值1.6*2＝3.0℃/W，整個(gè)絕緣層熱阻值為≥3.0℃/W。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的中小功率變頻器用IGBT功率組件結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1.IGBT器件；2.陶瓷片；3.導(dǎo)熱硅脂層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

實(shí)施例1

參見(jiàn)圖1，本實(shí)用新型的中小功率變頻器用IGBT功率組件，在IGBT器件1背焊接陶瓷片2，在陶瓷片兩面涂導(dǎo)熱硅脂，形成導(dǎo)熱硅脂層3。

導(dǎo)熱硅脂層厚度50微米，導(dǎo)熱系數(shù)2W。

組件外形與現(xiàn)有IGBT器件的外形基本相同，主要改變?yōu)樵谠蠭GBT背面鍍錫銅基本后面焊接陶瓷片+兩面硅脂。