[實用新型]半導體組件和半導體器件

有效

• 申請號: 201520521804.6
• 申請日: 2015-07-17
• 公開（公告）號: CN204792696U
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 劉春利;A·薩利
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種半導體組件，其特征在于包含：

具有表面的半導體襯底；

在所述半導體襯底上的摻雜碳的半導體材料的外延層，所述外延層具有表面，所述外延層具有碳摻雜分布；

在所述外延層上的成核層；和

在所述成核層上的III-氮化物材料層。

2.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述外延層包含摻雜碳的硅，所述摻雜碳的硅包含取代碳。

3.根據權利要求2所述的半導體組件，其特征在于，包含摻雜碳的硅的所述外延層具有100％的取代碳濃度。

4.根據權利要求2所述的半導體組件，其特征在于，所述摻雜碳的硅的碳濃度范圍從0.01％到49.99％。

5.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述碳摻雜分布具有梯度的濃度分布。

6.根據權利要求5所述的半導體組件，其特征在于，所述碳的所述梯度的濃度分布從所述外延層的表面延伸第一距離到所述外延層內。

7.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述碳摻雜分布包括與所述外延層的所述表面相鄰的尖峰的濃度分布。

8.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，碳摻雜分布是與所述外延層和所述成核層之間的界面相鄰的尖峰的濃度分布。

9.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述外延層被摻雜碳，使得所述碳具有被配置為多個摻雜層的濃度分布。

10.一種半導體器件，其特征在于包含：

半導體材料；

在所述半導體材料上的摻雜碳的外延層，所述摻雜碳的外延層具有碳摻雜分布；

在所述摻雜碳的外延層上的成核層；和

在所述成核層上的緩沖層。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述成核層包含在所述摻雜碳的外延層上的氮化鋁層。

12.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述摻雜碳的外延層具有碳摻雜分布均勻的部分。

13.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述摻雜碳的外延層具有包括梯度部分和均勻部分的碳摻雜分布。

14.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述摻雜碳的外延層具有包括多個摻雜物層的碳摻雜分布。

15.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述成核層包含摻雜碳的成核層。

16.一種半導體組件，其特征在于包含：

第一傳導性類型的硅半導體襯底；

在所述硅半導體襯底上的摻雜碳的外延層；

在所述摻雜碳的外延層之上的緩沖層；和

在所述緩沖層上的溝道層。

17.根據權利要求16所述的半導體組件，其特征在于，所述摻雜碳的緩沖層具有選自包含了恒定的、梯度的、恒定部分和梯度部分以及條帶的雜質材料分布的組中的雜質材料分布。

18.根據權利要求16所述的半導體組件，其特征在于，進一步包括在所述摻雜碳的外延層和所述緩沖層之間的成核層。

19.根據權利要求16所述的半導體組件，其特征在于，

所述成核層包含氮化鋁；

所述緩沖層包含III-氮化物材料；并且

所述溝道層包含氮化鎵。

20.根據權利要求16所述的半導體組件，其特征在于，進一步包括所述溝道層上的應變層，所述應變層包含氮化鋁鎵。