[實用新型]一種振蕩器電路

有效

• 申請號: 201520513434.1
• 申請日: 2015-07-13
• 公開（公告）號: CN204993256U
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發明（設計）人: 徐中干
• 申請（專利權）人: 杭州寬福科技有限公司
• 主分類號: H03B5/24
• 分類號: H03B5/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及振蕩器電路。

背景技術

振蕩器大都是通過電容的充放電和一個參考電壓相比較得到振蕩信號，為了簡化振蕩器結構、降低功耗、提高頻率，為此設計了一種低功耗高頻率振蕩器電路。

發明內容

本實用新型旨在提供一種低功耗高頻率振蕩器電路。

一種振蕩器電路，包括第一運算放大器、第一NMOS管、第一電阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一電容、第一反相器和第二反相器：

所述第一運算放大器的正輸入端接基準電壓VREF1，負輸入端接所述第一NMOS管的源極和所述第一電阻的一端，輸出端接所述第一NMOS管的柵極；

所述第一NMOS管的柵極接所述第一運算放大器的輸出端，漏極接所述第一PMOS管的柵極和漏極和所述第二PMOS管的柵極和所述第三PMOS管的柵極，源極接所述第一運算放大器的負輸入端和所述第一電阻的一端；

所述第一電阻的一端接所述第一運算放大器的負輸入端和所述第一NMOS管的源極，另一端接地；

所述第一PMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第一NMOS管的漏極和所述第二PMOS管的柵極和所述第三PMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC；

所述第二PMOS管的柵極接所述第一PMOS管的柵極和漏極和所述第一NMOS管的漏極和所述第三PMOS管的柵極，漏極接所述第二NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC；

所述第二NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第二PMOS管的漏極和所述第四NMOS管的柵極，源極接地；

所述第三PMOS管的柵極接所述第一NMOS管的漏極和所述第一PMOS管的柵極和漏極和所述第二PMOS管的柵極，漏極接所述第四PMOS管的源極，源極接電源電壓VCC；

所述第四PMOS管的柵極接所述第三NMOS管的柵極和所述第二反相器的輸出端，漏極接所述第一電容的一端和所述第一反相器的輸入端，源極接所述第三PMOS管的漏極；

所述第三NMOS管的柵極接所述第四PMOS管的柵極和所述第二反相器的輸出端，漏極接所述第四PMOS管的漏極和所述第一電容的一端和所述第一反相器的輸入端，源極接所述第四NMOS管的漏極；

所述第四NMOS管的柵極接所述第二PMOS管的漏極和所述第二NMOS管的柵極和漏極，漏極接所述第三NMOS管的源極，源極接地；

所述第一電容的一端接所述第四PMOS管的漏極和所述第三NMOS管的漏極和所述第一反相器的輸入端，另一端接地；

所述第一反相器的輸入端接所述第四PMOS管的漏極和所述第三NMOS管的漏極和所述第一電容的一端，輸出端接所述第二反相器的輸入端；

所述第二反相器的輸入端接所述第一反相器的輸出端，輸出端接所述第四PMOS管的柵極和所述第三NMOS管的柵極并作為振蕩器電路的輸出端OSCOUT。

所述第一運算放大器和所述第一NMOS管構成跟隨器，所述第一電阻上的電壓等于基準電壓VREF1，所述第一電阻上的電流等于基準電壓VREF1除以所述第一電阻電阻值，該電流就是I1，再通過鏡像給所述第二PMOS管電流為I2和所述第三PMOS管電流為I3；電流I2再通過所述第二NMOS管鏡像給所述第四NMOS管產生電流I4；電流I3作為對所述第一電容充電用的電流，電流I4作為對所述第一電容放電用的電流；當所述第四PMOS管導通時，電流I3對所述第一電容充電；當所述第三NMOS管導通時，所述第一電容放電；當所述第三PMOS管導通時對所述第一電容充電到所述第一反相器翻轉時，振蕩器輸出端OSCOUT為高電平；接著所述第三NMOS管導通，電流I4對所述第一電容進行放電到所述第一反相器又翻轉時，振蕩器輸出OSCOUT為低電平；接著進入下一個周期；由于所述第一反相器112的翻轉電壓很低，所述第一電容111充電的電壓很低，只是一個NMOS管的閾值電壓，翻轉頻率就很高，也即是振蕩頻率就很高；對于一個振蕩頻率來說，由于所述第一電容111充電的電壓低，充電時間就少，所消耗的電能就少。

附圖說明

圖1為本實用新型的振蕩器電路的電路圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型內容進一步說明。