[實用新型]一種寬幅聚酰亞胺膜帶

有效

• 申請號: 201520512107.4
• 申請日: 2015-07-15
• 公開（公告）號: CN204820489U
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發明（設計）人: 于娜娜
• 申請（專利權）人: 天津市龍德絕緣材料有限公司
• 主分類號: B32B7/12
• 分類號: B32B7/12;B32B3/30;B32B27/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型屬于膜帶制造技術領域，尤其涉及一種寬幅聚酰亞胺膜帶。

背景技術

聚酰亞胺膜包括均苯型聚酰亞胺薄膜和聯苯型聚酰亞胺薄膜兩類。前者為美國杜邦公司產品，商品名Kapton，由均苯四甲酸二酐與二苯醚二胺制得。后者由日本宇部興產公司生產，商品名Upilex，由聯苯四甲酸二酐與二苯醚二胺(R型)或間苯二胺(S型)制得。薄膜制備方法為：聚酰胺酸溶液流延成膜、拉伸后，高溫酰亞胺化。薄膜呈黃色透明，相對密度1.39～1.45，有突出的耐高溫、耐輻射、耐化學腐蝕和電絕緣性能，可在250～280℃空氣中長期使用。玻璃化溫度分別為280℃(UpilexR)、385℃(Kapton)和500℃以上(UpilexS)。20℃時拉伸強度為200MPa，200℃時大于100MPa。特別適宜用作柔性印制電路板基材和各種耐高溫電機電器絕緣材料。完善聚酰亞胺薄膜關鍵性工藝技術隨著有關聚酰亞胺研究的不斷深入，我國自行生產聚酰亞胺薄膜技術也將逐漸完善，生產成本也會逐漸降低。我國研發的高性能聚酰亞胺薄膜成功實現產業化后，將會促使國內高性能聚酰亞胺薄膜的價格下降，減少其應用領域的成本，這對我國電子電器等產業的發展十分有利。當前急需積極開發專用樹脂的制備和穩定的生產工藝技術，為聚酰亞胺薄膜產業化提供堅實的基礎，同時填補我國在相關技術領域的空白，打破國外對這一技術的壟斷，并能為國內發展這類高新技術材料提供全套成熟的關鍵性技術，推動我國行業進步和產業升級，助力我國從生產大國向技術強國的轉變。目前實際應用的寬幅聚酰亞胺膜帶均是多層薄膜擠壓成型，薄膜之間的膠粘劑容易溢出，影響美觀。

發明內容

本實用新型提供及一種寬幅聚酰亞胺膜帶，以解決上述背景技術中提出的膠粘劑溢出問題。

本實用新型所解決的技術問題采用以下技術方案來實現：本實用新型提供及一種寬幅聚酰亞胺膜帶，其特征在于：包括第一上層薄膜、第二上層薄膜，第一下層薄膜、第二下層薄膜，所述第一上層薄膜、第二上層薄膜，第一下層薄膜、第二下層薄膜等長，所述第一上層薄膜、第二上層薄膜之間設有上夾層薄膜，所述上夾層薄膜長度小于第一上層薄膜的長度，所述第一上層薄膜與上夾層薄膜之間設有第一上層粘膠劑，所述第二上層薄膜與上夾層薄膜之間設有第二上層粘膠劑，所述第一上層薄膜的下底面設有第一上凹槽，所述上夾層薄膜的上表面設有第一下凹槽，所述第一下凹槽與第一上凹槽位置相對，所述上夾層薄膜的下底面設有第二上凹槽，所述第二上層薄膜的上表面設有第二下凹槽，所述第二下凹槽與第二上凹槽位置相對，所述第一下層薄膜、第二下層薄膜之間設有下夾層薄膜，所述下夾層薄膜長度小于第一下層薄膜的長度，所述第一下層薄膜與下夾層薄膜之間設有第一下層粘膠劑，所述下夾層薄膜與第二下層薄膜之間設有第二下層粘膠劑，所述第一下層薄膜的下底面設有第三上凹槽，所述下夾層薄膜的上表面設有第三下凹槽，所述第三下凹槽與第三上凹槽位置相對，所述下夾層薄膜的下底面設有第四上凹槽，所述第二下層薄膜的上表面設有第四下凹槽，所述第四下凹槽與第四上凹槽位置相對，所述第二上層薄膜的下底面設有限位凸塊，所述第一下層薄膜的上表面設有與限位凸塊相配合的限位凹槽。

所述第一上凹槽、第二上凹槽、第三上凹槽、第四上凹槽為半球形。

所述第一下凹槽、第二下凹槽、第三下凹槽、第四下凹槽為半球形。

本實用新型的有益效果為：本技術方案通過在中間薄膜之間設有限位凸塊與限位凹槽，可以連接相鄰的薄膜，而不要膠粘劑，避免了膠粘劑的外溢，在上、下層薄膜內的夾層設置的長度比相鄰的短，可以存放外溢的部分膠體，而不影響膜帶的整體美觀，另外在膠粘劑相鄰的膜帶層設置凹槽，也可以存放一些膠體，減少外溢的膠體，實施效果非常理想。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖。

圖中：1-第一上層薄膜，2-上夾層薄膜，3-第二上層薄膜，4-第一下層薄膜，5-下夾層薄膜，6-第二下層薄膜，7-第一上層粘膠劑，8-第二上層粘膠劑，9-第一下層粘膠劑，10-第二下層粘膠劑，11-第一上凹槽，12-第一下凹槽，13-第二上凹槽，14-第二下凹槽，15-第三上凹槽，16-第三下凹槽，17-第四上凹槽，18-第四下凹槽，19-限位凸塊，20-限位凹槽。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型做進一步描述：