[實用新型]單刀六擲射頻收發開關電路

有效

• 申請號: 201520509848.7
• 申請日: 2015-07-14
• 公開（公告）號: CN204886905U
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發明（設計）人: 朱紅衛;杜浩華
• 申請（專利權）人: 海寧海微電子科技有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 唐山永和專利商標事務所 13103
• 代理人: 明淑娟

1.一種單刀六擲射頻收發開關電路，它包括天線(1)，其特征在于，它還包括第一至十二MOS場效應管(2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13)，第一MOS場效應管(2)的S端、第二MOS場效應管(3)的S端均與第一GSM發射端Tx1連接，第三MOS場效應管(4)的D端、第四MOS場效應管(5)的D端均與第二GSM發射端Tx2連接，第五MOS場效應管(6)的D端、第六MOS場效應管(7)的D端均與第一GSM接收端Rx1連接，第七MOS場效應管(8)的S端、第八MOS場效應管(9)的S端均與第二GSM接收端Rx2連接，第九MOS場效應管(10)的D端、第十MOS場效應管(11)的D端均與WCDMA發射端TRx1連接，第十一MOS場效應管(12)的S端、第十二MOS場效應管(13)的S端均與WCDMA接收端TRx2連接，第二MOS場效應管(3)的D端、第四MOS場效應管(5)的S端、第六MOS場效應管(7)的S端、第七MOS場效應管(8)的D端、第十MOS場效應管(11)的S端、第十一MOS場效應管(12)的D端均與天線(1)連接，第一MOS場效應管(2)的D端、第三MOS場效應管(4)的S端、第五MOS場效應管(6)的S端、第八MOS場效應管(9)的D端、第九MOS場效應管(10)的S端、第十二MOS場效應管(13)的D端均與零電位參考點連接；各MOS場效應管的G端用于與通斷控制信號連接；各MOS場效應管均設有P阱/深N阱和深N阱/P襯底的雙二極管，其中深N阱和P阱浮空。

2.根據權利要求1所述的單刀六擲射頻收發開關電路，其特征在于，各MOS場效應管均為三阱結構的MOS晶體管。