[實用新型]一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板及其組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520503502.6 | 申請日: | 2015-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN204760402U | 公開(公告)日: | 2015-11-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林建偉;張育政;夏文進;王志 | 申請(專利權)人: | 蘇州中來光伏新材股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/049 | 分類號: | H01L31/049 |
| 代理公司: | 北京金之橋知識產(chǎn)權代理有限公司 11137 | 代理人: | 馮靖;李知倫 |
| 地址: | 215542 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 沉積 阻隔 太陽電池 背板 及其 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽電池領域,特別涉及一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板及其組件。
背景技術
隨著太陽能電池背板技術的進步與產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,主流的太陽電池背板大多使用含氟材料作為最外層保護(Airside),PET做為中間層起支撐作用,與EVA粘結層(EVAside)粘接的材料有氟涂層、氟膜、聚烯烴、EVA、PE等材料,基本上均可滿足太陽電池背板的耐候性和絕緣性的要求。然而對于水汽阻隔性,大部分背板生產(chǎn)廠家生產(chǎn)的背板的水汽阻隔性很難達到2.0g/m2.day。
目前市場上存在的幾種高阻隔性的背板主要通過以下幾種方式達到:(1)增加基層PET厚度,無疑制造成本也跟著增加,失去了競爭優(yōu)勢;(2)增加EVA粘結層厚度,使用較厚的聚烯烴、EVA、PE材料(50-150μm),缺點是使用聚烯烴材料作為內層,耐紫外(UV)性能得不到保證,背板使用壽命縮短;(3)在基層表面復合一層鋁箔,鋁的水汽阻隔性能非常優(yōu)異,缺點是絕緣性差,制造成本上升。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足,提供一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板;上述背板通過設置氣相沉積阻隔層,來提高背板的水汽阻隔性能,降低外界水汽對太陽能電池的侵蝕,從而提高太陽能組件的發(fā)電效率,延長太陽能組件的使用壽命,增加發(fā)電收益。
本實用新型提供的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板,其技術方案為:
一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板,包括基層、以及設置在基層一側的第一耐候層和另一側第二耐候層,基層與第一耐候層之間和/或基層與第二耐候層之間、或者所述第一耐候層的外表面和/或所述第二耐候層的外表面設置有氣相沉積阻隔層;氣相沉積阻隔層是以物理氣相沉積技術或者等離子體化學氣相沉積技術沉積得到。
本實用新型提供的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板,還可以包括以下附屬技術方案:
其中,等離子體化學氣相沉積技術是等離子體增強化學氣相沉積技術。
其中,氣相沉積阻隔層的厚度是25nm~900nm。
其中,氣相沉積阻隔層的厚度是25nm~45nm。
其中,氣相沉積阻隔層的厚度是55nm~900nm。
其中,氣相沉積阻隔層是氧化物沉積層、氮化物沉積層或碳化物沉積層。
其中,基層是PET層。
其中,PET層的厚度是180~350微米。
其中,第一耐候層和第二耐候層是含氟樹脂涂層或者含氟樹脂膜層。
本實用新型還提供了一種光伏太陽能電池組件,其技術方案為:
一種光伏太陽能電池組件,包括前層材料、封裝材料、電池片、太陽電池背板,太陽電池背板是上述的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板。
名詞解釋:
等離子體化學氣相沉積(plasmachemicalvapordeposition簡稱PCVD)是一種用等離子體激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態(tài)膜的技術。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,利用低溫等離子體作為能量源,通入適量的反應氣體,利用等離子體放電,使反應氣體激活并實現(xiàn)化學氣相沉積的技術。PCVD與傳統(tǒng)CVD技術的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子,這些電子可以提供化學氣相沉積過程中所需要的激活能,從而改變了反應體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達10000K,電子與氣相分子的碰撞可以促進反應氣體分子的化學鍵斷裂和重新組合,生成活性更高的化學基團,同時整個反應體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進行的CVD過程得以在低溫下進行。
物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition,簡稱PVD)技術表示在真空條件下,采用物理方法,將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子,并通過低壓氣體(或等離子體)過程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。物理氣相沉積的主要方法有,真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜,及分子束外延等。發(fā)展到目前,物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。物理氣相沉積技術工藝過程簡單,對環(huán)境改善,無污染,耗材少,成膜均勻致密,與基體的結合力強。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





