[實用新型]薄膜太陽能電池

有效

• 申請號: 201520502813.0
• 申請日: 2015-07-13
• 公開（公告）號: CN204905264U
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發明（設計）人: 彭壽;王蕓;崔介東;石麗芬;曹欣
• 申請（專利權）人: 中國建材國際工程集團有限公司;蚌埠玻璃工業設計研究院
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0445
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所 31251
• 代理人: 王法男

技術領域

本實用新型涉及薄膜太陽能電池領域，尤其涉及一種透明導電膜為金屬納米線的薄膜太陽能電池。

背景技術

薄膜太陽能電池透明導電層為半導體材料，如ITO、FTO、AZO等，其在實現太陽能電池透光性要求的前提下，卻不能避免其自身材料因素導致的電阻存在，使得太陽能電池器件作為橫向光電收集器件而載流子收集效率不高，成為影響其光電轉換效率的瓶頸。而金屬的導電性能遠遠優于半導體，同時如果把金屬做成納米線結構布置于玻璃基底之上，作為透光與導電的太陽能窗口層，則可以實現比傳統的半導體透明導電膜優越的性能，提高太陽能電池的光電轉換效率。

實用新型內容

本實用新型旨在提供一種測試硅基薄膜的缺陷態密度，進而為硅基薄太陽能電池的材料特性改善提供解決方案。

為了達成上述目的，提供了一種薄膜太陽能電池，自下而上依次包括有玻璃基底、透明導電層、光電吸收層、背電極層，其特征在于，所述透明導電層為材料為金屬納米線，所述光電吸收層為非晶硅，微晶硅或碲化鎘薄膜。

一些實施例中，所述金屬納米線包括銀鈉米線，銅納米線。

一些實施例中，所述金屬納米線層，其粒徑范圍為50～80nm，總厚度為300～600μm。

一些實施例中，所述金屬納米線層在所述玻璃基底進行工藝的控制與生長。

一些實施例中，所述金屬納米線中，線與線之間的間距為2～10mm。

根據本實用新型的測薄膜太陽能電池，以金屬納米線替代半導體透明導電膜，如AZO、ITO、FTO等，可以實現在透光的前提下，大大減小膜層的電阻，更加有利于光生載流子的橫向收集，并減小電池器件的電阻，提高太陽能電池的光電轉換效率。

以下結合附圖，通過示例說明本實用新型主旨的描述，以清楚本實用新型的其他方面和優點。

附圖說明

結合附圖，通過下文的詳細說明，可更清楚地理解本實用新型的上述及其他特征和優點，其中：

圖1為根據本實用新型實施例的薄膜太陽能電池的結構示意圖。

具體實施方式

參見本實用新型具體實施例的附圖，下文將更詳細地描述本實用新型。然而，本實用新型可以以許多不同形式實現，并且不應解釋為受在此提出之實施例的限制。相反，提出這些實施例是為了達成充分及完整公開，并且使本技術領域的技術人員完全了解本實用新型的范圍。

現參考附圖詳細說明根據本實用新型實施例的薄膜太陽能電池。

根據本實用新型的薄膜太陽能電池，自下而上依次包括有玻璃基底、透明導電層、光電吸收層、背電極層，其特征在于，所述透明導電層為材料為金屬納米線，所述光電吸收層為非晶硅，微晶硅或碲化鎘薄膜。

所述金屬納米線包括銀鈉米線，銅納米線。所述金屬納米線層，其粒徑范圍為50～80nm，總厚度為300～600μm。所述金屬納米線層在所述玻璃基底進行工藝的控制與生長。所述金屬納米線中，線與線之間的間距為2～10mm。

如圖1所示，本實用新型所提供的薄膜太陽能電池，以玻璃作為基板1，基板1的表面上依次為金屬納米線2、光電吸收層3、背電極層4。

金屬納米線2為銀鈉米線，鈉米銀膜層厚度為500μm，納米線之間的寬度為5mm；其中背電極層4AZO膜與鋁膜的復合結構。

根據本實用新型的測薄膜太陽能電池，以金屬納米線替代半導體透明導電膜，如AZO、ITO、FTO等，可以實現在透光的前提下，大大減小膜層的電阻，更加有利于光生載流子的橫向收集，并減小電池器件的電阻，提高太陽能電池的光電轉換效率。

以上詳細描述了本實用新型的較佳具體實施例。應當理解，本領域的普通技術人員無需創造性勞動就可以根據本實用新型的構思做出諸多修改和變化。凡本技術領域中技術人員依本實用新型的構思在現有技術的基礎上通過邏輯分析、推理或者有限的實驗可以得到的技術方案，皆應在由權利要求書所確定的保護范圍內。