[實用新型]一種基于極化摻雜效應的太赫茲二極管有效
| 申請號： | 201520488512.7 | 申請日： | 2015-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN205081125U | 公開（公告）日： | 2016-03-09 |
| 發明（設計）人： | 董志華;程知群;劉國華;周濤;柯華杰 | 申請（專利權）人： | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/201;H01L29/207;H01L29/66 |
| 代理公司： | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杜軍 |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 極化 摻雜 效應 赫茲 二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于極化摻雜效應的太赫茲二極管，其特征在于：包括陰極電極、漸變AlxGa1-xN極化摻雜層、有源區、陽極區和陽極電極；
所述的陽極區上外延生長有源區，有源區外延生長漸變AlxGa1-xN極化摻雜層；陽極區的外側設有陽極，漸變AlxGa1-xN極化摻雜層的外側設有陰極。
2.根據權利要求1所述的一種基于極化摻雜效應的太赫茲二極管，其特征在于：所述的漸變AlxGa1-xN極化摻雜層為多層。
3.根據權利要求1所述的一種基于極化摻雜效應的太赫茲二極管，其特征在于：所述的漸變AlxGa1-xN極化摻雜層，其有源區層朝陰極的方向上，Al的組分x從0漸變到0.5。
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