[實用新型]非易失性存儲器

有效

• 申請號: 201520483612.0
• 申請日: 2015-07-07
• 公開（公告）號: CN204792794U
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 鄭宗文;鄭育明
• 申請（專利權）人: 物聯記憶體科技股份有限公司;鄭宗文;鄭育明
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/08;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/8247
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種非易失性存儲器，其特征在于，包括：

第一存儲單元，設置于基底上，所述第一存儲單元，包括：

堆疊柵極結構，包括依序設置于所述基底上的柵介電層、輔助柵極、絕緣層以及抹除柵極；

浮置柵極，設置于所述堆疊柵極結構的第一側的側壁，且所述浮置柵極的頂部具有轉角部，所述抹除柵極包覆所述轉角部；

穿隧介電層，設置于所述浮置柵極與所述基底之間；

抹除柵介電層，設置于所述抹除柵極與所述浮置柵極之間；

輔助柵介電層，設置于所述輔助柵極與所述浮置柵極之間；

源極區與漏極區，分別設置于所述堆疊柵極結構與所述浮置柵極兩側的所述基底中，其中所述源極區鄰接所述浮置柵極，所述漏極區鄰接所述堆疊柵極結構的第二側，所述第一側與所述第二側相對；

控制柵極，設置于所述源極區與所述浮置柵極上；以及

柵間介電層，設置于所述控制柵極與所述浮置柵極之間以及所述控制柵極與所述抹除柵極之間。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，還包括：

第二存儲單元，設置于所述基底上，所述第二存儲單元的結構與所述第一存儲單元的結構相同，且所述第二存儲單元與所述第一存儲單元成鏡像配置，共用所述源極區或所述漏極區。

3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述第一存儲單元與所述第二存儲單元共用所述控制柵極，且所述控制柵極填滿所述第一存儲單元與所述第二存儲單元之間的開口。

4.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，還包括：

第三存儲單元，設置于所述基底上，所述第三存儲單元的結構與所述第一存儲單元的結構相同，共用所述源極區、所述輔助柵極、所述抹除柵極以及所述控制柵極，且所述控制柵極填滿所述第一存儲單元與所述第三存儲單元之間。

5.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述穿隧介電層還設置于所述控制柵極與所述源極區之間。

6.根據權利要求1項所述的非易失性存儲器，其特征在于，

所述輔助柵介電層的厚度大于或等于所述抹除柵介電層的厚度。

7.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述輔助柵介電層的材質包括氧化硅-氮化硅、氧化硅-氮化硅-氧化硅或氧化硅。

8.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述絕緣層的材質包括氧化硅。

9.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述柵間介電層的材質包括氧化硅-氮化硅-氧化硅或氮化硅-氧化硅或其他高介電常數的材質(k＞4)。

10.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述穿隧介電層的材質包括氧化硅，所述穿隧介電層的厚度介于60埃至200埃之間。

11.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述柵介電層的材質包括氧化硅，所述柵介電層的厚度小于或等于所述穿隧介電層的厚度。

12.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述抹除柵介電層的材質包括氧化硅，所述抹除柵介電層的厚度介于100埃至180埃之間。

13.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述轉角部角度小于或等于90度。

14.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述抹除柵介電層還設置于所述抹除柵極與所述輔助柵極之間。