[實用新型]一種坩堝托盤

有效

• 申請號: 201520481051.0
• 申請日: 2015-07-01
• 公開（公告）號: CN204779918U
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 張會選;徐峰;周華東;方偉峰;李凱
• 申請（專利權）人: 黃山市東晶光電科技有限公司
• 主分類號: C30B17/00
• 分類號: C30B17/00
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 沈陳;楊大慶

技術領域

本實用新型涉及改良泡生法用防粘連的新型坩堝托盤。

背景技術

在LED襯底及光學窗口材料領域的晶體生長方法中，泡生法是世界公認的最適合大規模工業化生產的一種方法。目前泡生法一般采用控制功率或者電壓來控制熱場溫度，長晶過程很少甚至不提拉晶體，整個晶體生長過程都處于熱區中，整個工藝過程持續時間較長。此時，熱場中部件，如坩堝、坩堝托盤和坩堝支撐桿等部件受結構的影響會因高溫下的相互揮發極易發生粘連，這就使得熱場維護及拆裝爐過程中容易引起設備部件的損壞。

鑒于此，如何設計開發一種新型坩堝托盤，以防止坩堝、坩堝托盤和坩堝支撐桿相互粘連，已成為本領域技術人員亟待解決的問題。

實用新型內容

為了克服上述問題，本實用新型提供一種坩堝托盤，通過結構調整，在保證熱場傳導不受影響的前提下，確保其與坩堝在高溫下不反應、不粘連。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：一種坩堝托盤，包括托盤主體，該托盤主體包括與坩堝相接觸的頂面，以及與坩堝支撐桿相接觸的底面，在頂面的中央設有圓柱形凸起結構，在圓柱形凸起結構的外圓周上還設有一組呈環形布置的第一凹坑，各個第一凹坑等距間隔布置。作為本實用新型的進一步優選，坩堝托盤的材料選用耐高溫且穩定性極強的材料。

作為本實用新型的進一步優選，上述凸起結構與第一凹坑之間還設有一組呈環形布置的第二凹坑。

作為本實用新型的進一步優選，第一凹坑的個數為12～15個，第二凹坑的個數為12～15個。

作為本實用新型的更進一步優選，所述底面上還開設有限制坩堝支撐桿移動的限位凹槽。

本實用新型與現有技術相比，其優點在于：

本實用新型通過對現有坩堝托盤的結構作出改進，在坩堝的頂面中央設置圓柱形凸起結構，并在圓柱形凸起結構的外圓周上布置一組呈環形布置的第一凹坑，減小了其與坩堝的接觸面積，將原先的面-面接觸改成面-線接觸，極大的避免坩堝與坩堝托盤粘連的可能。此外，在圓柱形凸起結構與第一凹坑之間還布置有第二凹坑，可有效防止因第一凹坑在長期使用后變形導致坩堝與坩堝托盤粘連的發生。

以下將結合附圖和實施例，對本實用新型進行較為詳細的說明。

附圖說明

圖1為本實用新型的主視圖。

圖2為本實用新型的俯視圖。

圖中，1、托盤主體；2、頂面；3、底面；4、凸起結構；5、第一凹坑；6、第二凹坑；7、限位凹槽。

具體實施方式

實施例，請參閱圖1，一種坩堝托盤，其包括托盤主體1，該托盤主體1包括與坩堝相接觸的頂面2，以及與坩堝支撐桿相接觸的底面3。在頂面2的中央設有圓柱形凸起結構4。上述托盤主體1整體呈上部大、下部小的收口狀，在底面3上還開設有限位凹槽7。

請參閱圖2，在托盤主體的頂面2的中央位置設有圓柱形凸起結構4，當然凸起結構4也可為其他形狀，并不限于圓柱形，其形狀與坩堝形狀相適配。在圓柱形凸起結構4的外圓周上還設有一組呈環形布置的第一凹坑5，該第一凹坑5的個數為15個，且第一凹坑等距間隔布置，且彼此不相干涉。在凸起結構4與第一凹坑5之間還設有一組呈環形布置的第二凹坑6，該第二凹坑6的個數為15個，并且第二凹坑的大小略小于第一凹坑，15個第二凹坑等距間隔布置，且彼此不相干涉。第一凹坑5與第二凹坑6圍繞圓柱形凸起結構4的圓形同心布置。

以上所述僅是對本實用新型的較佳實施例，并非對本實用新型的范圍進行限定，故在不脫離本實用新型設計精神的前提下，本領域普通技術人員對本實用新型所述的構造、特征及原理所做的等效變化或裝飾，如將環形布置的第一凹坑、第二凹坑對應修改成第一凸起、第二凸起以實現減小接觸面積的目的，此類變換均應落入本實用新型的保護范圍內。