[實用新型]CL83型耐高電壓超小型金屬化聚脂膜電容器有效
| 申請號: | 201520472429.0 | 申請日: | 2015-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN204809041U | 公開(公告)日: | 2015-11-25 |
| 發明(設計)人: | 李新安 | 申請(專利權)人: | 深圳市深峰電子有限公司 |
| 主分類號: | H01G4/33 | 分類號: | H01G4/33;H01G4/32 |
| 代理公司: | 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 朱業剛;譚果林 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | cl83 型耐高 電壓 超小型 金屬化 聚脂膜 電容器 | ||
技術領域
本實用新型涉及電子設備,尤其涉及的是一種耐高電壓超小型金屬化聚脂膜電容器。
背景技術
我國現目前超小型金屬化聚脂膜電容器國標型號為CL21X型,其容量最小規定為0.01μF,額定電壓為50V~400V。然而隨著液晶電視機的國產化,其電源板中反激變換器的RCD吸收電容要求容量在0.0022μF至0.0047μF之間,額定電壓要求在400V~630V,腳距為5mm。國內電容器廠家設計上都采用10*4.5*1的單面鍍單留邊鍍鋁金層化聚脂膜設計方案,歸類為CL21X系列。
該技術的缺點有三點:
①卷繞的圈數少,鋁鍍層與噴金層結合極弱,接觸損耗大,且在焊引線時,接觸部位受焊接電流損傷影響大,電容器的損耗角正切值較大,且易變化;
②10μm的聚脂膜熱壓后回彈大,電容器芯子中心透光,噴金粉易進入之間,造成絕緣電阻不良和損耗角正切值增大。
③10μm聚脂膜屬于厚膜,蒸鍍的鋁鍍層附著力差。
因此,現有技術存在缺陷,需要改進。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種卷繞的圈數多,鋁鍍層與噴金層結合牢固,接觸損耗小,電容器的損耗角正切值小,且不易變化;熱壓后無回彈,不透光,無絕緣電阻不良和損耗不良,并且,鍍層附著力好,熱壓后鍍層無脫落。
本實用新型的技術方案如下:一種CL83型耐高電壓超小型金屬化聚脂膜電容器,其鍍鋁金屬化膜設置為一對單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜ATMT;每一單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜ATMT的厚度為3.8μm或4.8μm。每一單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜ATMT設置有一中留邊寬度,一對單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜ATMT包括有C1、C2、C3三個內串電容器。其電容容量為0.0022μF至0.0047μF。
采用上述方案,本實用新型將CL21X型電容器的10μm單留邊聚酯金屬化膜ATT該進成3.8或4.8μm單留邊且中留邊的單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜ATMT,在容量相同的情況下,卷繞的圈數則增大三倍,即鍍層比CL21X型增多三倍,所以鍍層與噴金的接觸損耗也會小三倍,減小了電容器的損耗角正切值,焊接引線時,焊接電流對端面損耗的影響也隨之大幅度減小。并且,改進后,電容器的膜厚10μm改成3.8或4.8μm,鍍層附著力好,熱壓后鍍層無脫落;熱壓后無回彈,不透光,無絕緣電阻不良和損耗不良;卷繞圈數增大三倍,鍍層多三倍,鍍層與噴金層的接觸損耗小,電容器損耗角正切值小且不易變。
附圖說明
圖1為現有技術的橫向剖面結構示意圖;
圖2為本實用新型的橫向剖面結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例,對本實用新型進行詳細說明。
本實施例提供了一種CL83型耐高電壓超小型金屬化聚脂膜電容器,如圖2所示,CL83型耐高電壓超小型金屬化聚脂膜電容器設置有一對的單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜,即單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜①和單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜②。
圖2中,單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜①設置有中留邊寬度X2,單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜②設置有中留邊寬度X1,如此,CL83型耐高電壓超小型金屬化聚脂膜電容器包括有C1、C2和C3三個電容器,C1、C2和C3三個電容器串聯設置,并且,圖中,Y為留邊寬度,Z為錯幅。
如此,本實施例中CL83型耐高電壓超小型金屬化聚脂膜電容器的一種具體參數為:ATMT-3.8μm*4.5mm*M1.7*A0.4*M2*T0.4。由于三串膜中留邊寬度X1和中留邊寬度X2的存在,根據額定電壓的高低,中留邊寬度X1和中留邊寬度X2的大小不同,在本實例中,中留邊寬度為A0.4,即中留邊寬度X1和中留邊寬度X2都等于0.4mm;單留邊為T0.4,即單留邊為0.4mm所構成C1、C2和C3三個電容器串聯。
并且,本實施例中,每一單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜ATMT的厚度還可以為4.8μm,CL83型耐高電壓超小型金屬化聚脂膜電容器的電容容量為0.0022μF至0.0047μF。
如此,將CL21X型電容器的10μm單面鍍鋁單留邊聚酯金屬化膜ATT改進成3.8μm或4.8μm的單面鍍鋁三串結構聚酯金屬化膜ATMT,既兼顧耐高問題,又解決鍍層附著力和彈性大芯子透光兩個質量問題。
改進后,由于聚酯膜只有3.8或4.8μm,熱壓后無回彈現象,不透光。鍍層附著力好,熱壓后無脫落。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市深峰電子有限公司,未經深圳市深峰電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520472429.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





