[實(shí)用新型]電子元件承載件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520467764.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-07-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204885121U | 公開(公告)日: | 2015-12-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃琮琳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樺塑企業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京匯智英財(cái)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 牟長(zhǎng)林 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣高*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子元件 承載 | ||
1.一種電子元件承載件,其特征在于,其包含數(shù)個(gè)容槽,該數(shù)個(gè)容槽分別包含一個(gè)底面及一個(gè)環(huán)墻,該環(huán)墻環(huán)繞形成一個(gè)開口,且該底面朝向該開口,該環(huán)墻上設(shè)有一個(gè)承載部,該承載部位于該底面及該開口之間,該承載部具有相對(duì)的一個(gè)第一側(cè)緣及一個(gè)第二側(cè)緣,該第一側(cè)緣鄰近該底面,該第二側(cè)緣鄰近該開口且與該開口之間具有一段差,該第一側(cè)緣的相對(duì)二點(diǎn)經(jīng)該容槽的中心的最短距離小于該第二側(cè)緣的相對(duì)二點(diǎn)經(jīng)該容槽的中心的最短距離。
2.如權(quán)利要求1所述的電子元件承載件,其特征在于:該承載部為環(huán)設(shè)于該環(huán)墻的一個(gè)承載面。
3.如權(quán)利要求1所述的電子元件承載件,其特征在于:該承載部為相對(duì)的二個(gè)承載面。
4.如權(quán)利要求1所述的電子元件承載件,其特征在于:該承載部為相連的四個(gè)承載面。
5.如權(quán)利要求2~4中任一項(xiàng)所述的電子元件承載件,其特征在于:該承載面為一個(gè)平面。
6.如權(quán)利要求5所述的電子元件承載件,其特征在于:該承載面與該底面相交形成一個(gè)夾角,且該夾角的角度為130~140°。
7.如權(quán)利要求2~4中任一項(xiàng)所述的電子元件承載件,其特征在于:該承載面為一個(gè)弧面。
8.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的電子元件承載件,其特征在于:該電子元件承載件具有相對(duì)的一個(gè)第一表面及一個(gè)第二表面,該容槽是自該第一表面朝該第二表面所形成的凹槽。
9.如權(quán)利要求8所述的電子元件承載件,其特征在于:該電子元件承載件具有數(shù)個(gè)傳輸孔,該數(shù)個(gè)傳輸孔貫穿該第一表面及該第二表面。
10.如權(quán)利要求8所述的電子元件承載件,其特征在于:該數(shù)個(gè)容槽分別設(shè)有一個(gè)座穴中心孔,該座穴中心孔貫穿該容槽的底面及相對(duì)該底面的第二表面。
11.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的電子元件承載件,其特征在于:該環(huán)墻具有一個(gè)壓模離形角,該壓模離形角的角度小于5°。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





