[實(shí)用新型]坩堝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520463639.3
• 申請(qǐng)日: 2015-07-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204752904U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何亮;胡動(dòng)力;雷琦;羅鴻志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B28/06
• 分類號(hào): C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及多晶硅領(lǐng)域，尤其涉及一種坩堝。

背景技術(shù)

現(xiàn)有設(shè)計(jì)的坩堝側(cè)壁大多都為平整設(shè)計(jì)，在多晶硅的長(zhǎng)晶階段，通常在側(cè)壁噴涂氮化硅后，在后續(xù)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，側(cè)部的晶體會(huì)形成大顆粒的枝晶晶體，其生長(zhǎng)方向多為斜向坩堝中心區(qū)域。

然而，本案的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，此種情況下，側(cè)壁生成的晶體和中心晶體的生長(zhǎng)方向相互沖突擠壓，從而使得坩堝側(cè)部區(qū)域的晶體受到的生長(zhǎng)應(yīng)力比較大，進(jìn)而造成側(cè)部晶粒的位錯(cuò)偏多。當(dāng)該硅片被制作成太陽(yáng)能電池后，容易造成該硅片的轉(zhuǎn)換效率低，從而不利于能量的轉(zhuǎn)換。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種能夠減少側(cè)壁上生長(zhǎng)的晶體受到的生長(zhǎng)應(yīng)力并有利于提高生成的硅片轉(zhuǎn)化率的坩堝。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供了一種坩堝，應(yīng)用于多晶硅鑄錠生產(chǎn)，所述坩堝包括側(cè)壁以及連接所述側(cè)壁的底壁，所述側(cè)壁上設(shè)置有凹坑結(jié)構(gòu)，所述凹坑結(jié)構(gòu)沿所述側(cè)壁高度方向設(shè)置并延伸至所述底壁。

其中，所述凹坑結(jié)構(gòu)為開(kāi)設(shè)于所述側(cè)壁上的多個(gè)孔，多個(gè)所述孔均沿所述坩堝的高度方向排列設(shè)置。

其中，所述凹坑結(jié)構(gòu)為開(kāi)設(shè)于所述側(cè)壁上的多個(gè)斜孔，并且多個(gè)所述斜孔的中心均與所述坩堝的底壁成一預(yù)設(shè)傾斜角度。

其中，所述側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)顆粒，所述多個(gè)顆粒與所述側(cè)壁形成所述凹坑結(jié)構(gòu)。

其中，所述凹坑結(jié)構(gòu)為圓孔或錐形孔。

其中，所述凹坑結(jié)構(gòu)的孔徑為2-10mm。

其中，所述凹坑結(jié)構(gòu)的深度均為2-20mm。

其中，所述預(yù)設(shè)傾斜角度的范圍為0-60°。

其中，所述顆粒為石英顆粒。

其中，所述坩堝為方形坩堝，所述坩堝的側(cè)壁上還涂覆一層氮化硅涂層。

本實(shí)用新型提供的坩堝通過(guò)在所述坩堝的側(cè)壁上設(shè)置凹坑結(jié)構(gòu)，從而替代了現(xiàn)有的采用側(cè)壁平整的設(shè)計(jì)，當(dāng)在多晶硅的長(zhǎng)晶階段時(shí)，側(cè)壁上生長(zhǎng)的晶體由于多個(gè)凹坑結(jié)構(gòu)的作用，能夠在坩堝側(cè)壁上形成小晶粒，從而能夠使得晶體的生長(zhǎng)方向與中心生長(zhǎng)的晶體的生長(zhǎng)方向一致，同時(shí)由于小晶粒相對(duì)于原有的大晶粒的生長(zhǎng)應(yīng)力小，因而能夠釋放一定的生長(zhǎng)應(yīng)力，從而使得作用在側(cè)壁晶體上的生長(zhǎng)應(yīng)力減少，有利于側(cè)壁晶體的生長(zhǎng)，并能夠減少生長(zhǎng)成的晶體的位錯(cuò)，故而能夠提高晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量，同時(shí)能夠進(jìn)一步提高后續(xù)硅片的轉(zhuǎn)化率。本實(shí)用新型提供的坩堝具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于制造的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。

請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的一種坩堝100，應(yīng)用于多晶硅鑄錠生產(chǎn)，所述坩堝100包括側(cè)壁10和連接于所述側(cè)壁的底壁20，所述側(cè)壁10上設(shè)置有凹坑結(jié)構(gòu)11。

本實(shí)施例中，所述坩堝100的材質(zhì)為石英砂，以保證其堅(jiān)硬、耐磨性及耐熱性，使得在加熱時(shí)，所述坩堝100的化學(xué)性能不會(huì)發(fā)生改變。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，所述坩堝100的材質(zhì)也可為粘土、瓷土或石墨等。

本實(shí)施例中，為了便于晶體的生長(zhǎng)，所述坩堝100為方形坩堝。所述坩堝100包括四個(gè)所述側(cè)壁10，四個(gè)所述側(cè)壁10上設(shè)置有所述凹坑結(jié)構(gòu)11。可以理解的是，在其他實(shí)施例中，所述坩堝100還可為圓形坩堝或U形坩堝等。

本實(shí)施例中，為了進(jìn)一步的改進(jìn)，各所述側(cè)壁10上均涂覆一層氮化硅涂層，以進(jìn)一步增強(qiáng)所述側(cè)壁10的硬度、耐高溫性能以及耐磨性能。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，各所述側(cè)壁10上也可涂覆陶瓷涂層。

多個(gè)所述孔11均沿所述坩堝100的高度方向排列設(shè)置。本實(shí)施例中，多個(gè)所述凹坑結(jié)構(gòu)11均設(shè)置于相對(duì)設(shè)置的兩所述側(cè)壁10上并延伸至所述底壁20上。

一種實(shí)施方式中，所述凹坑結(jié)構(gòu)11為開(kāi)設(shè)于所述側(cè)壁10上的多個(gè)孔，并且多個(gè)孔均沿所述坩堝100的高度方向排列設(shè)置。

另一種實(shí)施方式中，所述凹坑結(jié)構(gòu)11可為開(kāi)設(shè)于所述側(cè)壁10上的多個(gè)斜孔，并且多個(gè)所述斜孔的中心均與所述坩堝100的底壁成一預(yù)設(shè)傾斜角度。