[實(shí)用新型]發(fā)光二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520463098.4
• 申請(qǐng)日: 2015-07-01
• 公開（公告）號(hào): CN204927322U
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龔正;楊政達(dá);劉建政
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 元茂光電科技（武漢）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/20
• 分類號(hào): H01L33/20;H01L33/22;H01L33/38
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種發(fā)光二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一外延芯片；

一第一金屬電極，設(shè)置于該外延芯片，并與該外延芯片電性耦合；以及

一第二金屬電極，設(shè)置于該外延芯片，并與該外延芯片電性耦合；

其中該外延芯片根據(jù)該第二金屬電極的一形狀，于該外延芯片的一表面形成一第一區(qū)域，且該第二金屬電極設(shè)置于該第一區(qū)域上，而該外延芯片的表面還具有一粗糙表面的第二區(qū)域，且該第二區(qū)域圍繞該第一區(qū)域；

其中該第一區(qū)域的表面面積大于該第二金屬電極的表面面積以及小于該外延芯片的表面面積。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一區(qū)域以一掩膜形成一多邊形形狀。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一區(qū)域相較于該第二金屬電極以最小化面積形成該多邊形形狀。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一區(qū)域的該多邊形形狀包括一六角形形狀或四方形形狀。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二金屬電極的該表面面積包括一圓形形狀、指形或方形。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二金屬電極的該圓形形狀內(nèi)切于該第一區(qū)域的該六角形形狀或該四方形形狀。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一金屬電極為正電極，該第二金屬電極為負(fù)電極。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一金屬電極為負(fù)電極，該第二金屬電極為正電極。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一金屬電極與該第二金屬電極分別上下或左右設(shè)置于該外延芯片。