[實(shí)用新型]一種MOS場(chǎng)效晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520462615.6
• 申請(qǐng)日: 2015-06-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204857732U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 屠小慧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 屠小慧
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L23/367;H01L23/48
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種MOS場(chǎng)效晶體管，包括：源極（1）、漏極銅片（4）、柵極（3）和PCB銅箔（2），所述源極（1）下方設(shè)置有所述PCB銅箔（2），所述源極（1）上方設(shè)置有硅片（5），所述硅片（5）下方設(shè)置有所述柵極（3），所述硅片（5）上方設(shè)置有所述漏極銅片（4），所述漏極銅片（4）與裸片黏合材料（6）相連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOS場(chǎng)效晶體管，其特征在于：所述源極（1）與所述PCB銅箔（2）和所述硅片（5）相連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOS場(chǎng)效晶體管，其特征在于：所述硅片（5）下方與所述柵極（3）相連接，所述硅片（5）上方與所述漏極銅片（4）相連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOS場(chǎng)效晶體管，其特征在于：所述漏極銅片（4）通過(guò)所述裸片黏合材料（6）與所述硅片相黏合。