[實用新型]一種具有高介電材料層的電晶體封裝件

有效

• 申請號: 201520461837.6
• 申請日: 2015-06-30
• 公開（公告）號: CN204809208U
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 石磊
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 北京馳納智財知識產權代理事務所(普通合伙) 11367
• 代理人: 蔣路帆

1.一種具有高介電材料層的電晶體封裝件，所述電晶體封裝件從下至上包括集成電路層、硅層、鋁層、封裝金屬片，所述集成電路層與所述硅層之間通過焊料層連接；所述鋁層與所述硅層鄰接；所述封裝金屬片與所述鋁層之間通過焊料層連接；所述封裝金屬片一端與芯片漏極、源極的焊盤焊接，另一端與封裝外引腳焊盤焊接，其特征在于：所述封裝金屬片為銅片，所述封裝金屬片的下表面與柵極引線對應的投影區域覆有高介電材料層。

2.根據權利要求1所述的一種具有高介電材料層的電晶體封裝件，其特征在于：所述封裝金屬片覆蓋半導體的漏極、源極、柵極。

3.根據權利要求2所述的一種具有高介電材料層的電晶體封裝件，其特征在于：所述高介電材料層覆蓋柵極及柵極引線上方區域。

4.根據權利要求2所述的一種具有高介電材料層的電晶體封裝件，其特征在于：所述高介電材料層為Al₂O₃或TiO₂，形成所述高介電材料層的方法為磁控濺射、物理氣相沉積、離子束輔助沉積、激光脈沖沉積法中的一種；所述高介電材料層的厚度為0.01-0.05mm。

5.根據權利要求2所述的一種具有高介電材料層的電晶體封裝件，其特征在于：所述高介電材料層為薄膜，所述薄膜為聚氯乙烯、聚酯、聚偏氟乙烯、聚酰亞胺中的一種。

6.根據權利要求2所述的一種具有高介電材料層的電晶體封裝件，其特征在于：所述高介電材料層為摻有無機粉末的環氧樹脂，所述無機粉末為滑石粉、碳酸鈣、方解石中的一種或多種；所述高介電材料層的厚度為0.01-0.12mm。

7.根據權利要求2所述的一種具有高介電材料層的電晶體封裝件，其特征在于：所述高介電材料層為聚酰胺和鈦酸鋇復合生成的復合材料。

8.根據權利要求2所述的一種具有高介電材料層的電晶體封裝件，其特征在于：所述高介電材料層為環氧樹脂和CaCu₃Ti₄O₁₂混合而成，所述高介電材料層采用絲網印刷的方式，印刷厚度為0.01-0.04mm。

9.根據權利要求2所述的一種具有高介電材料層的電晶體封裝件，其特征在于：所述高介電材料層為鈦酸鋇涂層，生成所述鈦酸鋇涂層的方法為離子噴涂法。

10.根據權利要求2所述的一種具有高介電材料層的電晶體封裝件，其特征在于：所述柵極與封裝外引腳鍵合的方式為反向打線，即封裝外引腳的焊盤作為第一焊點開始打線，線弧至柵極而止，柵極作為第二焊點。