[實用新型]一種硅片邊緣氧化膜腐蝕用設備

有效

• 申請號: 201520461122.0
• 申請日: 2015-06-30
• 公開（公告）號: CN204732383U
• 公開（公告）日: 2015-10-28
• 發明（設計）人: 靳立輝;王國瑞;張學強;賈弘源;高樹良;李翔;張雪囡
• 申請（專利權）人: 天津中環半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 天津濱?？凭曋R產權代理有限公司 12211
• 代理人: 陳雅潔

1.一種硅片邊緣氧化膜腐蝕用設備，其特征在于：包括主體框架，在所述主體框架內部對稱分布有第一工作區和第二工作區，所述第一工作區和第二工作區均包括依次設置的上料區、腐蝕區和下料機構；所述上料區、腐蝕區和下料機構上方設有硅片腐蝕搬運系統；所述上料區包括上料機構和硅片暫存臺，還包括搬運定心系統，為第一工作區和第二工作區的共用機構，所述搬運定心系統設置在兩個上料區中間；所述腐蝕區包括依次設置的酸槽和純水槽。

2.根據權利要求1所述的硅片邊緣氧化膜腐蝕用設備，其特征在于：所述硅片腐蝕搬運系統包括橫梁、機械手和吸盤，所述機械手可沿橫梁橫向移動，所述吸盤位于機械手抓取硅片的一端。

3.根據權利要求1所述的硅片邊緣氧化膜腐蝕用設備，其特征在于：所述搬運定心系統包括搬運機械手和定心臺。

4.根據權利要求1所述的硅片邊緣氧化膜腐蝕用設備，其特征在于：所述硅片暫存臺采用的是PVC材質。

5.根據權利要求1所述的硅片邊緣氧化膜腐蝕用設備，其特征在于：所述酸槽的下方設有酸液儲存槽。

6.根據權利要求1所述的硅片邊緣氧化膜腐蝕用設備，其特征在于：所述酸槽采用的是CLEAN-PVC材質。

7.根據權利要求1所述的硅片邊緣氧化膜腐蝕用設備，其特征在于：所述純水槽采用的是CLEAN-PVC材質。

8.根據權利要求5所述的硅片邊緣氧化膜腐蝕用設備，其特征在于：所述酸液儲存槽采用的是CLEAN-PVC材質。