[實用新型]一種新型高速半導體激光器

有效

• 申請號: 201520452830.8
• 申請日: 2015-06-29
• 公開（公告）號: CN204947319U
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發明（設計）人: 羅飚;劉應軍;王任凡;湯寶
• 申請（專利權）人: 武漢電信器件有限公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22;H01S5/323
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 張瑾

技術領域

本實用新型屬于光電子技術領域，尤其涉及一種新型高速半導體激光器。

背景技術

傳統的高速半導體激光器制作方法如下：在脊波導結構上生長SiO₂層，涂覆BCB(苯并環丁烯)，通過光刻方法獲得圖形。然后通過采用RIE設備進行大面積干法刻蝕BCB，只留雙溝道里的BCB層，然后采用RIE刻蝕SiO₂層，露出電極接觸窗口，完成P面電極制作；將外延片減薄后，完成N面電極制作。但是在實際應用中，發現一些問題，比如外延片制作工藝完成后，需要解理成獨立的芯片，這時，鈍化后的BCB材料，在外力解理時容易裂變，隨后芯片制作成器件時，需要在電極上打金屬引線，同時由于BCB與金屬電極(TiPtAu)粘結也不緊密，容易造成電極容脫落，使得器件制作成品率低下。

實用新型內容

本實用新型實施例的目的在于提供一種新型高速半導體激光器，以解決現有技術的問題。

本實用新型實施例是這樣實現的，一種新型高速半導體激光器，所述激光器包括：

外延片的脊波導結構；

在所述脊波導結構上，經由等離子體增強化學氣相沉積PECVD方法生長SiO₂絕緣層，所述SiO₂薄膜的厚度為2-3um；

在所述SiO₂薄膜上存在使用光刻法，制作的電極柱圖形，其中，光刻的窗口寬度為1.5-2.5um；

電極柱接口，是基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蝕SiO₂層獲取的；

所述激光器的P面電極通過所述電極柱接口制作得到，所述激光器的N面電極通過減薄所述外延片制作得到。

優選的，所述制作外延片由磷化銦InP材料制作。

優選的，所述外延片的脊波導結構，具體包括：脊寬設置為1.8-2.2um。

優選的，所述在所述SiO₂薄膜上使用光刻法，制作電極柱圖形，具體包括：在SiO₂層上涂敷光刻膠，并進行90℃固化；利用光刻機完成電極柱窗口的光刻；在120℃環境下完成曝光、顯影和鈍化，形成光刻窗口。

優選的，所述基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蝕SiO₂層，獲取電極柱接口，具體包括：利用曝光顯影形成光刻膠做掩蔽，用CF4和O2氣體刻蝕光刻窗口下的SiO₂層，形成電極柱接口。

優選的，所述通過所述電極柱接口制作P面電極，具體包括：完成P面電極制作，電極材料為和厚度對應關系分別為：Ti-50nm，Pt-80nm，Au-200nm。

優選的，所述通過減薄所述外延片制作N面電極，具體包括：將外延片背面減薄為100μm，制作N面電極，電極材料及厚度對應關系分別為:Ti-50nm，Pt-80nm，Au-100nm。

優選的，所述方法還包括：進行解理，鍍膜，完成高速半導體激光器芯片制作。

本實用新型實施例提供的一種新型高速半導體激光器的有益效果包括：本實用新型實施例通過這種新型結構設計與傳統激光器制作方法比較起來，本實用新型方法制作可以解決了后面打線封裝的問題，利于大規模生產的需要。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導體激光器的制作方法的流程圖；

圖2是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導體激光器制作過程中結構示意圖；

圖3是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導體激光器制作過程中結構示意圖；

圖4是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導體激光器制作過程中結構示意圖；

圖5是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導體激光器制作過程中結構示意圖

圖6是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導體激光器制作過程中結構示意圖；

圖7是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導體激光器的頻率特性示意圖。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。