[實用新型]一種小尺寸石墨烯的場發射結構

有效

• 申請號: 201520448643.2
• 申請日: 2015-06-23
• 公開（公告）號: CN204706531U
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 喬憲武
• 申請（專利權）人: 中國計量學院
• 主分類號: H01J1/304
• 分類號: H01J1/304
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及薄膜半導體領域，具體涉及一種小尺寸石墨烯的場發射結構。

背景技術

場致電子發射(場發射)薄膜材料由于在場發射平板顯示器、電子源等諸多高性能真空微電子器件上具有廣闊的應用前景，引起了人們廣泛的關注與研究興趣。中國專利CN102103953A等對石墨烯場發射結構有深入的研究，石墨烯可以作為良好的場發射材料使用。長期以來，人們的石墨烯的改性多集中在，增大單晶面積降低石墨烯缺陷上。

然而，2013年發表在CARBON雜志的文獻：Correlation?between?topographic?structures?and?local?field?emission?characteristics?of?graphene-sheet?films.證實了：小尺寸石墨烯的場發射性能優于大面積石墨烯結構。

實用新型內容

本實用新型為了提高設備的長發射效率，設計了一種小尺寸石墨烯的場發射結構。

一種小尺寸石墨烯的場發射結構，包括陽極和陰極，其特征在于：所述結構的陰極由石墨烯片和襯底組成。

所述石墨烯片為小尺寸結構，所述結構沉積在襯底上表面。

本實用新型有益效果：小尺寸石墨烯結構能夠產生幾何增強場，提高場發射效率。

附圖說明

圖1為本實用新型結構圖

具體實施方式

如圖1所示，陰極包括石墨烯片1和襯底2，所述石墨烯片1為小尺寸結構，所述結構沉積在襯底2上表面。陰極與陽極3之間有電勢差，石墨烯片1產生的電子在電勢差的作用下轟擊陽極3。