[實用新型]一種用于升壓架構的基極電壓控制電路有效
| 申請號: | 201520444778.1 | 申請日: | 2015-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN204794658U | 公開(公告)日: | 2015-11-18 |
| 發明(設計)人: | 羅立權;羅杰;薛經緯 | 申請(專利權)人: | 燦瑞半導體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 鄧琪;楊希 |
| 地址: | 200081 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 升壓 架構 基極 電壓 控制電路 | ||
1.一種用于升壓架構的基極電壓控制電路,所述升壓架構包括一功率PMOS管,其具有連接至電壓輸入端的第一極以及連接至電壓輸出端的第二極,其特征在于,所述電路包括:
電壓比較器,其正輸入端與所述功率PMOS管的第一極連接,其負輸入端與所述功率PMOS管的第二極連接;
第一電平轉換器,其輸入端連接至所述電壓比較器的輸出端,其第一輸出端的電平與其輸入端的電平一致,其第二輸出端的電平與其輸入端的電平相反;
第二電平轉換器,其輸入端連接至所述電壓比較器的輸出端,其第一輸出端的電平與其輸入端的電平一致,其第二輸出端的電平與其輸入端的電平相反;
第一PMOS管,其柵極與所述第一電平轉換器的第一輸出端連接,其源極連接至所述電壓輸出端;
第二PMOS管,其柵極和漏極分別與所述第一PMOS管的柵極和漏極連接,其源極接地;
第三PMOS管,其柵極與所述第一電平轉換器的第二輸出端連接,其漏極連接至所述電壓輸入端,其源極與所述第二PMOS管的源極相連至所述功率PMOS管的基極;
第四PMOS管,其柵極與所述第二電平轉換器的第二輸出端連接,其源極與所述第一PMOS管的源極連接;
第五PMOS管,其柵極和漏極分別與所述第四PMOS管的柵極和漏極連接,其源極接地;以及
第六PMOS管,其柵極與所述第二電平轉換器的第一輸出端連接,其漏極與所述第三PMOS管的漏極連接,其源極與所述第五PMOS管的源極連接。
2.根據權利要求1所述的用于升壓架構的基極電壓控制電路,其特征在于,所述電路還包括串聯連接在所述功率PMOS管的第一極與地之間的第一電阻和第二電阻以及串聯連接在所述功率PMOS管的第二極與地之間的第三電阻和第四電阻,所述電壓比較器的正輸入端連接至所述第一電阻和第二電阻之間,其負輸入端連接至所述第三電阻和第四電阻之間。
3.根據權利要求1或2所述的用于升壓架構的基極電壓控制電路,其特征在于,所述電路還包括連接在所述第二PMOS管與地之間的第一電容,以及連接在所述第五PMOS管與地之間的第二電容。
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H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
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H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
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