[實(shí)用新型]一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520417628.1
• 申請日: 2015-06-16
• 公開（公告）號: CN204991375U
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李前軍;顏茂山;杜興龍;王亮;袁翔;季長貴;馬鑫圣;劉廣澤;校榮升
• 申請（專利權(quán)）人: 泰州茂翔電子器材有限公司
• 主分類號: H01F27/24
• 分類號: H01F27/24;H01F27/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及磁芯技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯。

背景技術(shù)

為了增加電磁體的磁感應(yīng)強(qiáng)度，在電感線圈的磁路中設(shè)置的導(dǎo)磁物質(zhì)體稱為磁芯。客戶原使用的PQ26磁芯由于電子元器件工作直流電流的不斷加大，導(dǎo)致其直流疊加特性已無法滿足整機(jī)的需要，需要改進(jìn)。傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)上PQ26磁芯已不能滿足現(xiàn)在電器的裝配需求。

如圖1所示，現(xiàn)有PQ26磁芯的俯視圖，包括磁芯底板2、磁芯芯柱1及分設(shè)在磁芯芯柱1兩側(cè)的磁芯邊腿3，所述磁芯芯柱1的上下邊緣凸出磁芯底板2的范圍，所述磁芯底板2為帶折點(diǎn)的向內(nèi)扇形，扇形邊延伸與磁芯芯柱1相交連接，所述兩側(cè)磁芯邊腿3相對應(yīng)內(nèi)壁的距離b為16mm，所述磁芯邊腿3的外壁長度d為19mm。所述磁芯底板2的折點(diǎn)直接的距離e為7mm，所述磁芯芯柱1凸出磁芯底板2部分的橫向距離f為5.5mm。

如圖2所示，現(xiàn)有PQ26磁芯的剖面示意圖，所述兩側(cè)的磁芯邊腿3的外壁之間的距離a為26.5mm所述磁芯芯柱1的截面直徑c為12mm。

通過分析，要想提高磁芯的輸出功率，需要從磁芯邊腿的磁通面積、磁芯芯柱的磁通面積及磁芯底板的磁通面積這三方面著手進(jìn)行改進(jìn)，并且磁芯整體的體積不能過大，防止不能在現(xiàn)有的預(yù)裝空間里進(jìn)行安裝。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的：針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，申請人經(jīng)過多次實(shí)踐改進(jìn)，設(shè)計(jì)了一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯，同時(shí)增加了磁芯邊腿的磁通面積、磁芯芯柱的磁通面積及磁芯底板的磁通面積。

技術(shù)方案：為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為：一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯，包括磁芯底板、磁芯芯柱及分設(shè)在磁芯芯柱兩側(cè)的磁芯邊腿，所述磁芯芯柱的上下邊緣凸出磁芯底板的范圍，所述磁芯底板為帶折點(diǎn)的向內(nèi)扇形，扇形邊延伸與磁芯芯柱相交連接。

本實(shí)用新型的一個目的為增加磁芯邊腿的磁通面積，采用的技術(shù)改進(jìn)方案為：所述兩側(cè)的磁芯邊腿的外壁之間的距離a為27.8mm，所述兩側(cè)磁芯邊腿相對應(yīng)內(nèi)壁的距離b為16.5mm，所述磁芯邊腿的外壁長度d為19.5mm。

本實(shí)用新型的又一個目的為增加磁芯芯柱的磁通面積，采用的技術(shù)改進(jìn)方案為：加粗原有的磁芯芯柱，即將所述磁芯芯柱的截面直徑c增加為12.3mm。

本實(shí)用新型的還一個目的為增加磁芯底板的磁通面積，采用的技術(shù)改進(jìn)方案為：所述磁芯底板的折點(diǎn)之間的距離e增加為4mm，所述磁芯芯柱凸出磁芯底板部分的橫向距離f縮小為2.5mm。

有益效果：本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果是：

本實(shí)用新型同時(shí)增加了磁芯邊腿的磁通面積、磁芯芯柱的磁通面積及磁芯底板的磁通面積，能夠耐受電子元器件更高的工作直流電流，使用壽命得到進(jìn)一步延長。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有PQ26磁芯的俯視圖。

圖2為現(xiàn)有PQ26磁芯的剖面示意圖。

圖3為本實(shí)用新型一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯的俯視圖。

圖4為本實(shí)用新型一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過一個最佳實(shí)施例，對本技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明，但是本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于所述實(shí)施例。

如圖3所示，一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯，包括磁芯底板2、磁芯芯柱1及分設(shè)在磁芯芯柱1兩側(cè)的磁芯邊腿3，所述磁芯芯柱1的上下邊緣凸出磁芯底板2的范圍，所述磁芯底板2為帶折點(diǎn)的向內(nèi)扇形，扇形邊延伸與磁芯芯柱1相交連接。所述兩側(cè)的磁芯邊腿3的外壁之間的距離a為27.8mm，所述兩側(cè)磁芯邊腿3相對應(yīng)內(nèi)壁的距離b為16.5mm，所述磁芯邊腿3的外壁長度d為19.5mm。所述磁芯底板2的折點(diǎn)之間的距離e為4mm，所述磁芯芯柱1凸出磁芯底板2部分的橫向距離f為2.5mm

如圖4所示，所述磁芯芯柱1的截面直徑c為12.3mm。并且磁芯芯柱1兩側(cè)的磁芯邊腿3呈對稱分布。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出：對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。