[實用新型]一種并聯結構的SEPIC電路

有效

• 申請號: 201520411023.1
• 申請日: 2015-06-15
• 公開（公告）號: CN204681250U
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 陽彩
• 申請（專利權）人: 科博達技術有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 上海華祺知識產權代理事務所 31247
• 代理人: 劉衛宇

1.一種并聯結構的SEPIC電路，包括第一電感、開關管、主中間電路以及輸出電容；所述主中間電路包括第一隔離電容、第一二極管和第二電感；所述第一電感的一端與直流輸入電壓的正端連接，所述第一電感的另一端與所述開關管的第一導通端以及所述第一隔離電容的一端連接，所述第一隔離電容的另一端與所述第一二極管的正極以及第二電感的一端連接，所述第一二極管的負極與所述輸出電容的一端連接，所述開關管的第二導通端、所述第二電感的另一端以及所述輸出電容的另一端均與直流輸入電壓的負端連接，其特征在于，該SEPIC電路還包括一組或多組副中間電路；

每一組副中間電路包括第二隔離電容、第二二極管和第三電感；

所述第二隔離電容的一端與所述的第一隔離電容的一端、所述的第一電感的另一端以及所述開關管的第一導通端連接，所述第二隔離電容的另一端與所述第二二極管的正極以及第三電感的一端連接，所述第二二極管的負極與所述的第一二極管的負極以及所述的輸出電容的一端連接，所述第三電感的另一端與所述直流輸入電壓的負端連接。

2.如權利要求1所述的一種并聯結構的SEPIC電路，其特征在于，所述第一電感的線圈、所述第二電感的線圈以及所有第三電感的線圈均繞設在同一個磁芯上。

3.如權利要求1所述的一種并聯結構的SEPIC電路，其特征在于，所述的開關管為NMOS開關管，所述開關管的第一導通端為該NMOS管的漏極，所述開關管的第二導通端為該NMOS管的源極。