[實用新型]一種用于太赫茲低頻段GaAs基大功率肖特基倍頻二極管

有效

• 申請號: 201520404481.2
• 申請日: 2015-06-12
• 公開（公告）號: CN204668311U
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 楊曉艷;韓凌;陳梅;魏剛;紀東峰
• 申請（專利權）人: 四川邁格酷科技有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 郭受剛

1.一種用于太赫茲低頻段GaAs基大功率肖特基倍頻二極管，其特征在于，所述倍頻二極管包括：

40個肖特基陽極結，倍頻二極管采用4行結構，每行結構為10個肖特基結，每行結構采用射頻同向并聯，直流反向串聯；其中，所述倍頻二極管采用半絕緣GaAs層襯底，所述半絕緣GaAs層上設有重摻雜GaAs層和鈍化層，所述重摻雜GaAs層上設有低摻雜GaAs層和歐姆接觸金屬層，所述低摻雜GaAs?層上有肖特基接觸金屬層和二氧化硅層，所述歐姆接觸金屬層上設有金屬加厚層，所述金屬加厚層與所述肖特基接觸金屬層通過空氣橋相連。

2.根據權利要求1所述的倍頻二極管，其特征在于，所述倍頻二極管尺寸為：長560微米，寬260微米，高30微米，應用頻率范圍為100GHz到120GHz，每個肖特基陽極面積為36平方微米，結電容40fF，電阻為3歐姆，截止頻率1.3THz，擊穿電壓為每個肖特基結為6V，每個肖特基陽極結能夠承受輸入功率30mW，所述的倍頻二極管能夠承受最大輸入功率為1.2W。

3.根據權利要求1所述的倍頻二極管，其特征在于，所述倍頻二極管采用N-/N+的GaAs摻雜結構，其中，低摻雜GaAs層N-外延層摻雜濃度采用2e17cm^-3，重摻雜GaAs層N+采用摻雜濃度為5e18cm^-3。

4.根據權利要求1所述的倍頻二極管，其特征在于，所述肖特基接觸金屬層自下而上依次為Ti、Pt、Au。

5.根據權利要求1所述的倍頻二極管，其特征在于，所述歐姆接觸金屬層自下而上依次為Ni、Au、?Ge、Ni、Au。

6.根據權利要求1所述的倍頻二極管，其特征在于，所述金屬加厚層具體為Au層。