[實用新型]磁傳感器雙向靈敏度調整電路及具備該電路的磁傳感器

有效

• 申請號: 201520393065.7
• 申請日: 2015-06-09
• 公開（公告）號: CN204679616U
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 姜帆;陳利;楊瑞聰;高耿輝;高偉鈞
• 申請（專利權）人: 廈門元順微電子技術有限公司;大連連順電子有限公司;友順科技股份有限公司
• 主分類號: G01R33/07
• 分類號: G01R33/07;G01R35/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及磁傳感器領域，具體說是一種磁傳感器雙向靈敏度調整電路及具備該電路的磁傳感器。

背景技術

開關型的霍爾磁場傳感器芯片在生產的過程由于工藝漂移、封裝應力等因素的影響，成品的磁場靈敏度會有波動。成品一般通過測試，按照磁場的靈敏度大小進行分類，形成不同的產品等級出售給客戶。在靈敏度超出或者低于所確定的范圍之外的芯片，將作為廢品報廢，這將降低了產品的良率。

其中，一種現有技術磁傳感器(CN201080028529)，該專利是調整霍爾器件的幾何形狀來調整靈敏度，調整幾何形狀后，霍爾器件將變成非對稱結構，不適合單片集成。

此外，另一現有技術一種可編程開關型霍爾傳感器(CN201410183714)，該專利是通過改變遲滯比較器的閾值比較電壓來實現靈敏度的調整，在實際的操作過程中，可能需要經過芯片的多次測試和多次調整才能達到預定的靈敏度，較為繁瑣。

實用新型內容

本實用新型為解決上述問題，提供了一種磁傳感器雙向靈敏度調整電路及具備該電路的磁傳感器。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案為：

一種磁傳感器雙向靈敏度調整電路，包括一霍爾盤HP，還包括一由第十PMOS管M10和第十一PMOS管M11組成的第一電流鏡、由第一NMOS管M1和第二NOMS管M2組成的第二電流鏡、由第七NMOS管M7和第八NMOS管M8組成的第三電流鏡，由第三PMOS管M3和第四NMOS管M4組成的反相器以及一電流源組；所述霍爾盤HP電源端連接所述第一電流鏡的第二輸出端，所述第一電流鏡的第一輸入端連接所述第一電流鏡的第二輸入端、所述電流源組輸入端、所述反相器輸入端、一電流源輸入端和系統電源正端，所述第一電流鏡的第一輸出端連接所述第二電流鏡的第二輸入端、所述第三電流鏡的第二輸入端和一第九NMOS管M9輸出端，所述第九NMOS管M9輸入端連接所述電流源組輸出端和一第六NMOS管M6輸入端，所述第六NMOS管M6輸出端連接所述第三電流鏡的第一輸入端和一第五NMOS管M5輸入端，所述第九NMOS管M9控制端連接所述第五NMOS管M5控制端、所述反相器控制端和一開關K0，所述第六NMOS管M6控制端連接所述第三PMOS管M3輸出端和第四NMOS管M4輸入端，所述電流鏡輸出端連接所述第二電流鏡的第一輸入端，所述第二電流鏡的第一輸出端連接所述反相器輸出端、所述第五NMOS管M5輸出端、所述第三電流鏡的第一輸出端、所述第三電流鏡的第二輸出端、所述第二電流鏡的第二輸出端、所述霍爾盤HP接地端和系統電源負端。

在本實用新型一實施例中，所述電流源組包括N個電流源支路并聯，所述每個電流源支路由一電流源和一開關串聯組成，其中N為正整數。

在本實用新型一實施例中，一種磁傳感器，該磁傳感器包括權利要求1中所述的磁傳感器雙向靈敏度調整電路。

本實用新型的有益效果是：

本實用新型通過在霍爾傳感器芯片上集成雙向靈敏度調整電路，對芯片的成品進行修調，提高產品良率，并可通過調整傳感器的靈敏度，產品調整至目標磁場靈敏度，有效的針對目標客戶。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構成本實用新型的一部分，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中：

圖1為本實用新型原理框圖；

圖2為本實用新型一具體實施例原理圖。

具體實施方式

為了使本實用新型所要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚、明白，以下結合附圖和實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。