[實用新型]一種推挽式X軸磁電阻傳感器

有效

• 申請號: 201520393025.2
• 申請日: 2015-06-09
• 公開（公告）號: CN204758807U
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發明（設計）人: 詹姆斯·G·迪克;周志敏
• 申請（專利權）人: 江蘇多維科技有限公司
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛;段曉玲

1.一種推挽式X軸磁電阻傳感器,其特征在于，包括：襯底、位于襯底之上的錯列軟磁通量集中器陣列和推挽式磁電阻傳感單元電橋；

所述錯列軟磁通量集中器陣列包括至少兩個軟磁通量集中器，所述每個軟磁通量集中器均包含矩形正X向bar1長條、負X向bar2長條以及一個0磁阻橋，所述bar1長條和bar2長條長軸平行于Y軸方向且短軸平行于X軸方向，所述0磁阻橋長軸平行于X軸方向、短軸平行于Y軸方向且長軸兩端分別與bar1長條和bar2長條互聯，所述軟磁通量集中器之間形成錯列結構，并在X方向形成錯列間隙GapX1和未錯列間隙GapX2；

所述推挽式磁電阻傳感單元電橋至少包括一個推臂和一個挽臂，所述推臂包括至少一個推磁電阻傳感單元串，所述挽臂包括至少一個挽磁電阻傳感單元串，所述推、挽磁電阻傳感單元串均分別包括多個互聯磁電阻傳感單元，所述推磁電阻傳感單元串位于所述錯列間隙GapX1處，所述挽磁電阻傳感單元串位于所述未錯列間隙GapX2處，且所述磁電阻傳感單元的磁場敏感方向為X方向。

2.根據權利要求1所述的一種推挽式X軸磁電阻傳感器,其特征在于,所述推挽式X軸磁電阻傳感器還包括校準線圈和/或重置線圈；所述校準線圈包括平行于所述推、挽磁電阻傳感單元串的推校準直導線和挽校準直導線，當校準電流通過所述校準線圈時，分別在所述推磁電阻傳感單元串處和所述挽磁電阻傳感單元串處產生沿X和-X方向的幅度相同的校準磁場分量；

所述重置線圈包括垂直于所述磁電阻傳感單元串的重置直導線，當重置線圈通重置電流時，在所有磁電阻傳感單元處沿Y方向產生幅度相同的重置磁場分量。

3.根據權利要求1所述的一種推挽式X軸磁電阻傳感器,其特征在于，所述軟磁通量集中器為U形或H形，所述U形軟磁通量集中器的所述bar1長條和bar2長條的正Y端對齊或者負Y端對齊，并連接到所述0磁阻橋上，所述bar1長條和bar2長條之間形成U間隙，所述H形軟磁通量集中器的所述0磁阻橋連接所述bar1長條和所述bar2長條中點，所述bar1長條和bar2長條之間形成H間隙，所述H間隙根據Y軸方向分為正H間隙和負H間隙。

4.根據權利要求1所述的一種推挽式X軸磁電阻傳感器,其特征在于，所述錯列軟磁通量集中器陣列由所述U形軟磁通量集中器或者所述H形軟磁通量集中器或者所述U形軟磁通量集中器與H形軟磁通量集中器組成，且沿X方向形成1個錯列間隙列，任一個所述軟磁通量集中器，至少存在一個其他所述軟磁通量集中器與之形成錯列結構，且正X向長條bar1和負X向長條bar2的長軸在Y方向跨越所有所述錯列間隙。

5.根據權利要求1所述的一種推挽式X軸磁電阻傳感器，其特征在于，所述錯列軟磁通量集中器陣列由所述U和H形軟磁通量集中器或者僅由所述H軟磁通量集中器組成，且形成M行N列所述錯列間隙陣列，其中，Y方向，第1列和第N列所述錯列間隙為所述H、U形軟磁通量集中器之間的錯列間隙或所述H軟磁通量集中器之間的錯列結構，當N為大于等于3的整數時，中間第2列到第N-1列所述錯列間隙均對應所述H軟磁通量集中器之間的所述錯列結構；

X方向，每列均包括M個所述錯列間隙，其中，最上端的所有所述軟磁通量集中器正X向長條bar1和最下端的所有所述軟磁通量集中器負X向長條bar2分別合并成一個D1和D2端長條，所述D1和D2端長條長軸在Y方向跨越所有所述錯列間隙；M、N為大于等于2的整數。