[實(shí)用新型]一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520392777.7
• 申請(qǐng)日: 2015-06-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204740335U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹姆斯·G·迪克;周志敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇多維科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R33/09
• 分類號(hào): G01R33/09
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛(wèi);段曉玲

1.一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，包括襯底、位于襯底之上的第一梳狀軟磁通量引導(dǎo)器、第二梳狀軟磁通量引導(dǎo)器及推挽式磁電阻傳感單元電橋；

所述第一梳狀軟磁通量引導(dǎo)器的第一梳齒和第一梳座和所述第二梳狀軟磁通量引導(dǎo)器的第二梳齒和第二梳座均為矩形，所述第一梳齒和所述第二梳齒長(zhǎng)軸和短軸分別平行于Y軸和X軸，所述第一梳座和第二梳座長(zhǎng)軸和短軸分別平行于X軸和Y軸；

所述第一梳狀軟磁通量引導(dǎo)器和所述第二梳狀軟磁通量引導(dǎo)器之間形成交叉指狀結(jié)構(gòu)，相鄰所述第一梳齒和所述第二梳齒之間依次交替形成第一間隙和第二間隙，且所述第二梳齒與所述第一梳座之間、所述第一梳齒與所述第二梳座之間也形成間隙；

所述推挽式磁電阻傳感單元電橋包括推、挽磁電阻傳感單元串，所述推、挽磁電阻傳感單元串均包括多個(gè)串聯(lián)和/或并聯(lián)的磁電阻傳感單元，且平行于Y軸方向，并交替位于所述第一間隙和第二間隙內(nèi),所述推、挽磁電阻傳感單元串分別電連接成推臂和挽臂，所述推臂和挽臂包含的所述磁電阻傳感單元串?dāng)?shù)量相同，且所述推臂和挽臂電連接成推挽式磁電阻傳感單元電橋，所述磁電阻傳感單元具有X向磁場(chǎng)敏感方向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，還包括校準(zhǔn)線圈和/或重置線圈，所述校準(zhǔn)線圈包括平行于所述推、挽磁電阻傳感單元串的校準(zhǔn)直導(dǎo)線，當(dāng)校準(zhǔn)電流通過(guò)所述校準(zhǔn)線圈時(shí)，在所述推、挽磁電阻傳感單元串處分別產(chǎn)生沿X和-X方向幅度相同的校準(zhǔn)磁場(chǎng)分量；所述重置線圈包括垂直于所述推、挽磁電阻傳感單元串的重置直導(dǎo)線，當(dāng)重置線圈通重置電流時(shí)，在所有磁電阻傳感單元處沿Y方向或-Y方向產(chǎn)生幅度相同磁場(chǎng)分量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，所有所述第一梳齒尺寸相同，所有所述第二梳齒尺寸相同，所有所述第一間隙尺寸相同，所有所述第二間隙尺寸相同，所述第一間隙尺寸和所述第二間隙尺寸相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，所述磁電阻傳感單元為GMR自旋閥或者TMR傳感單元，其中釘扎層方向平行于Y軸方向，自由層方向平行于X軸方向。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，沒(méi)有外加磁場(chǎng)時(shí)，所述磁電阻傳感單元通過(guò)永磁偏置，雙交換作用、形狀各向異性或者任意結(jié)合來(lái)使磁性自由層的磁化方向與磁性釘扎層的磁化方向垂直。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，所述推挽式磁電阻傳感單元電橋?yàn)榘霕颉⑷珮蚧蛘邷?zhǔn)橋。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，所述第一梳齒數(shù)量為2*N+1時(shí)，N為大于1的整數(shù)，所述推磁電阻傳感單元串和所述挽磁電阻傳感單元串交替分布在2*N個(gè)所述第一間隙和所述第二間隙內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，所述第一梳齒數(shù)量為2*N+2時(shí)，N為大于1的整數(shù)，所述推磁電阻傳感單元串和所述挽磁電阻傳感單元串交替分布在除位于正中間的所述第一間隙和所述第二間隙之外的其他2*N個(gè)所述第一間隙和所述第二間隙內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，所述第一梳齒數(shù)量為2時(shí)，所述推磁電阻傳感單元串和所述挽磁電阻傳感單元串交替的分布在所述第一間隙和所述第二間隙內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)所述的一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，任一個(gè)所述推磁電阻傳感單元串均有一個(gè)與之相對(duì)于所述第一梳狀軟磁通量集中器的X軸中心線對(duì)稱的所述挽磁電阻傳感單元串。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，隨著所述第一梳齒寬度Lx10和所述第二梳齒寬度Lx2之和相對(duì)于所述第一間隙、所述第二間隙寬度gapy的比率（Lx10+Lx20）/gapy增加，所述推挽式磁電阻傳感單元電橋增益增加。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種交叉指狀Y軸磁電阻傳感器，其特征在于，所述第一梳座和第二梳座的X端和-X端均對(duì)齊。