[實用新型]一種GaAs系太陽能電池三層減反膜有效

申請號：	201520388913.5	申請日：	2015-06-05
公開（公告）號：	CN204760392U	公開（公告）日：	2015-11-11
發明（設計）人：	鄭貴忠;彭娜;張楊;陳升陽;潘旭;楊翠柏;王智勇	申請（專利權）人：	瑞德興陽新能源技術有限公司
主分類號：	H01L31/0216	分類號：	H01L31/0216
代理公司：	廣州市華學知識產權代理有限公司 44245	代理人：	梁瑩
地址：	528437 廣東省中***	國省代碼：	廣東;44
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種 gaas 太陽能電池三層減反膜
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種GaAs系太陽能電池三層減反膜，其特征在于：由從下往上依次層狀疊加的第一層二氧化鈦薄膜、第二層二氧化鈦薄膜及一層二氧化硅薄膜組成，其中，在GaAs系太陽能電池的窗口層或頂電池材料上通過電子束蒸鍍沉積出第一層二氧化鈦薄膜，在所述第一層二氧化鈦薄膜上采用離子源輔助電子束蒸鍍沉積出第二層二氧化鈦薄膜，在所述第二層二氧化鈦薄膜上采用離子源輔助電子束蒸鍍沉積出一層二氧化硅薄膜，形成表面減反結構。

2.根據權利要求1所述的一種GaAs系太陽能電池三層減反膜，其特征在于：所述第一層二氧化鈦薄膜的厚度為10nm～25nm，折射率為1.808～2.290。

3.根據權利要求1所述的一種GaAs系太陽能電池三層減反膜，其特征在于：所述第二層二氧化鈦薄膜的厚度為25nm～45nm，折射率為2.198～2.570。

4.根據權利要求1所述的一種GaAs系太陽能電池三層減反膜，其特征在于：所述二氧化硅薄膜的厚度為70nm～110nm，折射率為1.4～1.7。

5.根據權利要求1所述的一種GaAs系太陽能電池三層減反膜，其特征在于：所述第一層二氧化鈦薄膜、第二層二氧化鈦薄膜及二氧化硅薄膜的鍍制真空度為1x10^-4Pa，加熱溫度為40～100℃，真空腔體內通入氧氣10sccm，離子源電流為100～500mA，電壓為100～1500V。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瑞德興陽新能源技術有限公司，未經瑞德興陽新能源技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520388913.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。