[實用新型]一種OLED器件有效
| 申請號： | 201520383590.0 | 申請日： | 2015-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN204946907U | 公開（公告）日： | 2016-01-06 |
| 發明（設計）人： | 蔡世星;單奇;張小寶;郭瑞;林立;高孝裕 | 申請（專利權）人： | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423;G09G3/32 |
| 代理公司： | 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505 | 代理人： | 楊晞 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 oled 器件 | ||
1.一種OLED器件，其特征在于，包括：至少兩個薄膜晶體管(1)和Vdd電極(2)；其中，至少兩個薄膜晶體管(1)中的至少一個薄膜晶體管(1)包括：下柵極(14)、設于所述下柵極(14)上方的下絕緣層(17)、設于所述下絕緣層(17)上方的半導體層(15)、設于所述半導體層(15)上方的上絕緣層(16)、設于所述上絕緣層(16)上方的上柵極(11)、源極(12)和漏極(13)；
其中，所述半導體層(15)分別與所述源極(12)和漏極(13)搭接；在與所述半導體層(15)中導電溝道平行的平面上，所述上柵極(11)的正投影與所述源極(12)的正投影之間存在第一間隙(18)，所述上柵極(11)的正投影與所述漏極(13)的正投影之間存在第二間隙(19)；
其中，所述至少一個薄膜晶體管(1)的上柵極(11)與所述Vdd電極(2)連接。
2.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件進一步包括：OLED發光單元(3)以及電容(4)；
當任一薄膜晶體管(1)用于驅動OLED發光單元(3)時，進一步地，所述一個薄膜晶體管(1)的漏極(13)與所述Vdd電極(2)連接，源極(12)與所述OLED器件的OLED發光單元(3)連接，下柵極(14)與所述OLED器件的電容(4)連接。
3.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件進一步包括：數據信號線(6)、電容(4)、掃描信號線(7)；
當任一薄膜晶體管(1)用作OLED器件的開關晶體管時，進一步地，所述一個薄膜晶體管(1)的漏極(13)與所述OLED器件的數據信號線(6)連接，源極(12)與所述OLED器件的電容(4)連接，下柵極(14)與所述OLED器件的掃描信號線(7)連接。
4.根據權利要求1至3中任一所述的OLED器件，其特征在于，所述第一間隙(18)或第二間隙(19)的寬度根據半導體層(15)的半導體材料的本征電阻以及所能承受的最低漏電流進行調整。
5.根據權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述第一間隙(18)和/或第二間隙(19)的寬度大于1um。
6.根據權利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述第一間隙(18)和/或第二間隙(19)的寬度為3um。
7.根據權利要求1至3中任一所述的OLED器件，其特征在于，所述半導體層(15)的厚度為30nm。
8.根據權利要求1至3中任一所述的OLED器件，其特征在于，所述半導體層(15)采用金屬氧化物，或非晶硅，或多晶硅，或微晶硅材料制成。
9.根據權利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述半導體層(15)采用的金屬氧化物為銦鎵鋅氧。
10.根據權利要求1至3中任一所述的OLED器件，其特征在于，所述上柵極(11)、和/或下柵極(14)、和/或源極(12)、和/或漏極(13)由Mo金屬材料制成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司，未經昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520383590.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種全裸晶封裝可調光光電一體LED照明組件
- 下一篇：筒狀封裝模塊
- 同類專利
- 專利分類
