[實用新型]一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管有效
| 申請號： | 201520376910.X | 申請日： | 2015-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN204651339U | 公開（公告）日： | 2015-09-16 |
| 發明（設計）人： | 吳洪浩;周宏敏;李政鴻;林兓兓;張家宏 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32 |
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| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 晶格 空穴 注入 結構 發光二極管 | ||
1.一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管，包括：襯底、緩沖層、N型層、量子阱層、P型電子阻擋層、空穴注入層和P型接觸層，其特征在于：所述空穴注入層為P型含鋁氮化鎵層、P型含銦氮化鎵層和非摻雜氮化鎵層循環層疊形成的超晶格結構。
2.根據權利要求1所述的一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管，其特征在于：所述超晶格結構層的循環次數n≥2。
3.根據權利要求1所述的一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管，其特征在于：所述P型含鋁氮化鎵層的厚度為10～100埃。
4.根據權利要求1所述的一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管，其特征在于：所述P型含銦氮化鎵層的厚度為10～100埃。
5.根據權利要求1所述的一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管，其特征在于：所述非摻雜氮化鎵層的厚度為10～100埃。
6.根據權利要求1所述的一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管，其特征在于：所述空穴注入層總厚度為100～3000埃。
7.根據權利要求1所述的一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管，其特征在于：所述空穴注入層中P型含鋁氮化鎵層、P型含銦氮化鎵層和非摻雜氮化鎵層位置相互調變循環形成超晶格結構。
8.根據權利要求7所述的一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管，其特征在于：所述空穴注入層中P型含鋁氮化鎵層、P型含銦氮化鎵層和非摻雜氮化鎵層依次層疊循環形成超晶格結構。
9.根據權利要求1所述的一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管，其特征在于：所述P型電子阻擋層為鋁鎵氮單層結構。
10.根據權利要求1所述的一種具有超晶格空穴注入層結構的發光二極管，其特征在于：所述P型電子阻擋層為鋁銦鎵氮層與P型氮化鎵層組成的周期為2～10的超晶格結構。
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