[實用新型]圖像傳感器

有效

• 申請號: 201520373713.2
• 申請日: 2015-06-03
• 公開（公告）號: CN204632761U
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 趙立新;李杰;徐澤
• 申請（專利權）人: 格科微電子(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：多個呈陣列排布的像素單元，所述像素單元包括：

源跟隨晶體管，所述源跟隨晶體管的溝道區區域靠近柵極氧化層內表面設置有第一N型摻雜區域，或者所述源跟隨晶體管的溝道區區域沿柵極氧化層向內依次設置有P型摻雜區域，第二N型摻雜區域；

所述源跟隨晶體管的柵極氧化層較所述像素單元其它晶體管最厚的柵極氧化層薄至少5埃，增大所述源跟隨晶體管的跨導。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述像素單元還包括：復位晶體管，所述復位晶體管的源級與復位電壓連接；所述復位晶體管的漏極與浮置擴散區連接，所述復位晶體管設置有鉗位浮置擴散區電位機制，防止所述浮置擴散區減去源跟隨晶體管漏極的電位的絕對值高于源跟隨晶體管的漏級、柵極之間的擊穿電壓。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述鉗位浮置擴散區電位機制為：控制所述復位晶體管的閥值電壓低于0V。

4.根據權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述復位晶體管的閥值電壓為大于等于-1.5V小于等于-0.5V，所述柵極電壓為大于等于0V小于等于5V。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一N型摻雜區域的深度為：0微米至0.2微米；摻雜濃度為：1e16?atom/cm^-3至3e18atom/cm^-3。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述P型摻雜區域的深度為0微米至0.05微米，摻雜濃度為1e16?atom/cm^-3至2e18atom/cm^-3；第二N型摻雜區域的深度為0微米至0.2微米?，摻雜濃度為1e16?atom/cm^-3至3e18atom/cm^-3。

7.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述復位晶體管的源級電壓為：大于等于2.5V小于等于3.5V；所述源跟隨晶體管的漏級電壓為：大于等于2.1V小于等于3.5V。