[實用新型]帶勢壘層結構的砷化銦熱光伏電池有效
| 申請號： | 201520372603.4 | 申請日： | 2015-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN204680680U | 公開（公告）日： | 2015-09-30 |
| 發明（設計）人： | 胡淑紅;王洋;呂英飛;孫艷;戴寧 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0735 | 分類號： | H01L31/0735;H01L31/0725;H01L31/02 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶勢壘層 結構 砷化銦熱光伏 電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種帶勢壘層結構的砷化銦熱光伏電池，包括襯底、阻擋層、吸收層和表面層，其特征在于：
所述的光伏電池的結構為：在襯底上依次為寬禁帶的阻擋層、砷化銦的吸收層、砷化銦的表面層；兩個電極分別做在腐蝕后臺面的襯底上以及砷化銦表面層上；
所述的襯底是P型砷化銦或N型砷化銦襯底；
所述的寬禁帶的阻擋層是厚度為100-200納米的銦砷銻磷四元合金薄膜層，合金室溫禁帶寬度為0.50eV；
所述的砷化銦的吸收層的厚度為3-5微米；
所述的砷化銦的表面層為N型砷化銦或P型砷化銦，厚度為100-200納米。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
