[實用新型]用于高能離子注入的復合掩膜

有效

• 申請號: 201520371989.7
• 申請日: 2015-06-02
• 公開（公告）號: CN204680649U
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 施長治;林春
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L21/426
• 分類號: H01L21/426;H01L21/36;H01L21/027;H01L21/475;H01L21/471
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種用于高能離子注入的復合掩膜，它包括注入阻擋層(1)，光致抗蝕劑掩膜層(2)，犧牲介質層(3)；其特征在于：

所述的復合掩膜的底層為注入阻擋層(1)，中部為具有掩膜圖形的光致抗蝕劑掩膜層(2)，上層為犧牲介質層(3)；

所述的注入阻擋層(1)為20～200nm厚的介質膜層，采用與碲鎘汞材料晶格失配小的碲鋅鎘、碲化鋅或碲化鎘材料；

所述的犧牲介質層(3)為20～200nm厚的二氧化硅或硫化鋅薄膜層。