[實(shí)用新型]一種表面鍍銅的導(dǎo)電膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520368335.9
• 申請日: 2015-05-30
• 公開（公告）號: CN205122219U
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡文瑋;杜成城;劉比爾
• 申請（專利權(quán)）人: 汕頭萬順包裝材料股份有限公司;汕頭萬順包裝材料股份有限公司光電薄膜分公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;G06F3/044;G06F3/045
• 代理公司: 廣州市深研專利事務(wù)所 44229
• 代理人: 張喜安

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種透明導(dǎo)電膜，特別是涉及一種表面鍍銅的導(dǎo)電膜。

背景技術(shù)

目前通用的觸摸屏包括適用于移動設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的電阻式觸摸屏和投射電容式觸摸屏，隨著蘋果公司IPhone手機(jī)的推出，引發(fā)了電容式觸摸屏的熱潮，電容式觸摸屏向各種電子產(chǎn)品領(lǐng)域滲透。隨著技術(shù)的進(jìn)步，電容式觸摸屏的各種結(jié)構(gòu)不斷涌現(xiàn)，其中最常用的有蘋果經(jīng)典的雙面ITO結(jié)構(gòu)，單面TP橋結(jié)構(gòu)，film-glass結(jié)構(gòu)，film-film-glass結(jié)構(gòu)等，其中對于film-film結(jié)構(gòu)的電容屏結(jié)構(gòu)，電極引線大多采用絲印銀漿。通常為ITO導(dǎo)電膜制作感應(yīng)圖型后,在邊側(cè)上方制作導(dǎo)線，以將訊號連接至驅(qū)動IC。目前在ITO上方印刷導(dǎo)電銀漿時，需在銀漿中添加黏著劑，若黏著劑過高則會導(dǎo)致導(dǎo)電度較差；黏著劑過低則銀漿的粘著性不強(qiáng)，再有制作的銀導(dǎo)電厚度較厚且線寬較寬，繞曲效果亦較差，容易造成斷線的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種表面鍍銅的導(dǎo)電膜，電極粘著性好，避免使用黏著劑，并且有效解決繞曲效果較差、容易造成斷線的問題。

本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：一種表面鍍銅的導(dǎo)電膜，包括依次層疊設(shè)置在基材一側(cè)的光學(xué)調(diào)整層、ITO層及銅導(dǎo)線層，基材與光學(xué)調(diào)整層之間設(shè)有調(diào)光硬化涂層，所述調(diào)光硬化涂層厚度取值在300nm至2μm,所述銅導(dǎo)線層厚度為50nm～800nm，所述ITO層的表面電阻≦400Ω/□。

進(jìn)一步地，所述基材的另一側(cè)設(shè)置有調(diào)光硬化涂層。

進(jìn)一步地，所述基材的另一側(cè)相對地設(shè)置有調(diào)光硬化涂層、光學(xué)調(diào)整層、ITO層及銅導(dǎo)線層。

進(jìn)一步地，所述銅導(dǎo)線層厚度優(yōu)選為100nm～300nm。

進(jìn)一步地，所述ITO層厚度優(yōu)選為20nm～30nm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型在ITO導(dǎo)電膜上方，將銅導(dǎo)線層于制作ITO上方，不需要添加黏著劑，且僅需數(shù)百奈米的厚度即可達(dá)到需求的導(dǎo)電效果，同時因無黏著劑之添加，所以同時也解決了繞曲的問題。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型表面鍍銅的導(dǎo)電膜的第一較佳實(shí)施方式的層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的第二較佳實(shí)施方式的層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型的第三較佳實(shí)施方式的層結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合，下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本實(shí)用新型。

如圖1所示，一種表面鍍銅的導(dǎo)電膜，其第一較佳實(shí)施方式包括基材1、以及層疊設(shè)置在基材1上表面的光學(xué)調(diào)整層2、ITO層3及銅導(dǎo)線層4。所述基材1為可透光材質(zhì)，表面均勻且平整，其材質(zhì)可為PET、PEN、COC(CyclicOlefinCopolymer)、COP(CyclicOlefinPolymers)中的任意一種。基材1與光學(xué)調(diào)整層2之間制作兼具調(diào)光與抗刮傷效果的調(diào)光硬化涂層5，ITO層3設(shè)置在光學(xué)調(diào)整層2上，銅導(dǎo)線層4通過濺鍍、蒸鍍等技術(shù)制作在ITO層3上。

本實(shí)用新型的第二較佳實(shí)施方式，一種表面鍍銅的導(dǎo)電膜，在第一較佳實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，如圖2所示，所述基材1的下表面進(jìn)一步設(shè)置有另一調(diào)光硬化涂層5。

本實(shí)用新型的第三較佳實(shí)施方式，一種表面鍍銅的導(dǎo)電膜，在第一較佳實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，如圖3所示，所述基材1下表面進(jìn)一步依次層疊設(shè)置有調(diào)光硬化涂層5、光學(xué)調(diào)整層2、ITO層3及銅導(dǎo)線層4，與基材1上表面的各層對稱。

上述各實(shí)施例方式中，所述調(diào)光硬化涂層5折射率為1.6～1.7，且厚度在300nm～2μm。

所述光學(xué)調(diào)整層2用于調(diào)整入射光的折射率，折射率為1.4～1.5，其厚度為10～40nm。

所述ITO層3為銦錫氧化物導(dǎo)電層，并且氧化錫(SnO₂)比例介于1～10％間，以薄膜沉積的方式形成于光學(xué)調(diào)整層2表面上。ITO層3在150℃條件下經(jīng)過60分鐘的熱處理后，其表面電阻變化率經(jīng)浸泡1N鹽酸3分鐘后≦20％。所述ITO層3厚度選擇為15nm～35nm，ITO層3的表面電阻優(yōu)選為≦400Ω/□。